半導體晶體生長測溫要解決的問題

還原爐應(yīng)用中，需多點位測溫，有的點位位置較高對準目標比較困難。

需透視窗測量反應(yīng)物。建議使用近紅外短波測溫。

直拉法應(yīng)用中，一般集成于內(nèi)部溫控系統(tǒng)，安裝空間有限。建議使用分體光纖式設(shè)備。

升溫過程中，材料狀態(tài)可能發(fā)生變化，導致發(fā)射率隨之發(fā)生變化導致測溫失準。建議使用雙色測溫儀

半導體氧化擴散測溫要解決的問題

測溫設(shè)備集成于設(shè)備內(nèi)部，對準目標有些許困難

需透視窗測溫，需考慮測溫儀響應(yīng)波段

半導體薄膜沉積測溫要解決的問題

被測物可能被離子云包裹

多次加熱工況中，對測溫儀重復性與穩(wěn)定性要求高

襯底材料會發(fā)生變化，要求測溫儀有不同的應(yīng)對方案

須透過視窗測量，最好推薦使用紅外視窗材料

impac IGA 6和IGAR 6優(yōu)勢

為近紅外測溫波段，對于石英視窗有更高的透射率；對于金屬被測物有更高的測溫精度；

寬測溫量程（250-2500℃）；

極快響應(yīng)速度（120μs）；

更好的重復性（0.15%+1℃）；

可變焦鏡頭，可調(diào)節(jié)測距（可從210至2000mm內(nèi)測溫）；

設(shè)定內(nèi)可調(diào)多種參數(shù)，滿足多種環(huán)境需求；

具有直觀的視頻模式，且接線簡單。