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國芯思辰|碳化硅MOSFET B2M065120Z助力工業電源功率密度提升

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-06-17 10:59 ? 次閱讀
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目前大部分工業產品的應用都離不開電源,比如工業自動化控制、LED照明、工控設備、通訊設備、電力設備、儀器儀表等工業領域電源。因此,工業電源需要SiC功率器件來滿足不同工業應用領域電源的安全性和可靠性要求。

本文推薦基本半導體第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工業電源,可以替代英飛凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A等進口型號。

基本半導體第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z基于6英寸晶圓平臺開發,與上一代產品相比,擁有更低比導通電阻(降低約40%)、器件開關損耗(降低約30%),以及更高可靠性和更高工作結溫(175°C)等優越性能。產品類型也進一步豐富,可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業電源、通信電源等行業實現更為出色的能源效率和應用可靠性。

B2M065120Z性能參數:

B2M065120Z.png

B2M065120Z是全新的SOT-227-4封裝,采用氮化鋁(AlN)陶瓷基板,具有熱導率高、強度高、熱膨脹系數低等優點,氮化鋁陶瓷基板熱導率(170~230W/mK)是氧化鋁陶瓷基板的9.5倍,熱阻Rth(jc)低至0.12K/W。

碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件,可提高功率回路開關頻率,提升系統效率及功率密度,降低系統綜合成本,為工業電源提供有效解決方案,具有巨大的市場前景。

注:如涉及作品版權問題,請聯系刪除。

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