氮化鎵主要用于LED(發(fā)光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場(chǎng)效電晶體(MOSFET)

幾十年來(lái)，氮化鎵一直被用于稱為發(fā)光二極管的節(jié)能光源。氮化鎵也用于普通的技術(shù)產(chǎn)品，如藍(lán)光光盤播放器。但耐熱性和耐輻射性使其在軍事和航天領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。今天，GaN芯片還被用于反彈道導(dǎo)彈雷達(dá)和太空圍欄，美國(guó)空軍的雷達(dá)系統(tǒng)用于跟蹤空間碎片。

第一代半導(dǎo)體是硅，主要解決數(shù)據(jù)計(jì)算和存儲(chǔ)的問(wèn)題。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵為代表，應(yīng)用于光纖通信，主要解決數(shù)據(jù)傳輸問(wèn)題。第三代半導(dǎo)體以氮化鎵為代表，在電和光的轉(zhuǎn)換方面具有突出的性能，在微波信號(hào)傳輸方面具有更高的效率，因此可廣泛應(yīng)用于照明、顯示、和通訊等各個(gè)領(lǐng)域。

氮化鎵(化學(xué)式GaN)被稱為“終極半導(dǎo)體材料”，可用于制造用途廣泛、性能強(qiáng)大的新一代微芯片。屬于所謂的寬禁帶，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV(電子伏)的半導(dǎo)體，它是一種用于發(fā)展高效率、大功率微電子器件和光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。氮化鎵，分子式GaN，英文名氮化鎵是一種氮和鎵的化合物，鎵是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體材料，自1990年以來(lái)一直在發(fā)光二極管中廣泛使用。這種化合物的結(jié)構(gòu)類似于纖鋅礦，其硬度很高。Keep Tops的氮化鎵具有3.4電子伏的極寬能隙，可用于大功率、高速的光電元件，其單芯片亮度理論上可達(dá)到過(guò)去的10倍。

Keep Tops氮化鎵具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的導(dǎo)熱性、良好的化學(xué)穩(wěn)定性、強(qiáng)的抗輻射性、高的內(nèi)、外量子效率、高的發(fā)光效率、高的強(qiáng)度和硬度。其耐磨性接近金剛石)。這種特性和特性可以制成高效率的半導(dǎo)體發(fā)光器件--發(fā)光二極管(即發(fā)光二極管)和激光器(簡(jiǎn)稱LD)。并可擴(kuò)展到白光LED和藍(lán)光LD。耐磨性接近金剛石的特性將有助于開啟觸摸屏、太空載具以及射頻(RF)MEMS等需要高速、高振動(dòng)技術(shù)的新應(yīng)用。

特別是藍(lán)光和綠光LED，廣泛應(yīng)用于大屏幕全彩顯示屏、汽車燈具、多媒體成像、LCD背光、交通燈、光纖通信、衛(wèi)星通信、海洋光通信、全息圖像顯示、圖形識(shí)別等領(lǐng)域。。體積小，重量輕，驅(qū)動(dòng)電壓低(3.5-4.0V)，響應(yīng)時(shí)間短，壽命長(zhǎng)(。10萬(wàn)小時(shí)以上，冷光源，光效高，具有防爆、節(jié)能等功能。半導(dǎo)體激光器，特別是藍(lán)光半導(dǎo)體激光器，具有波長(zhǎng)短、體積小、易于作高頻調(diào)制等優(yōu)點(diǎn)，可大大提高目前激光閱讀器的信息存儲(chǔ)能力和探測(cè)器的精確性、隱蔽性。尋道時(shí)間也將大大縮短，在民用和軍用領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛力。它被廣泛應(yīng)用于光纖通信、探測(cè)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、光學(xué)讀取、激光高速打印等領(lǐng)域，并將取代目前的紅外光等激光器。白光LED是藍(lán)色發(fā)光二極管和YAG熒光物質(zhì)的結(jié)合體，其合成光譜為白光，在不久的將來(lái)將取代目前傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈，從而引起世界照明行業(yè)的一場(chǎng)革命。

審核編輯：湯梓紅