勵(lì)磁系統(tǒng)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄及參數(shù)顯示模塊是發(fā)電機(jī)勵(lì)磁控制部分的重要部分，也是勵(lì)磁控制系統(tǒng)體現(xiàn)控制分散、信息集中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，用以實(shí)現(xiàn)完成現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示、便捷的參數(shù)修改及故障錄波。系統(tǒng)若采用鐵電存儲(chǔ)器搭配磁電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器，可大容量支持掉電保存的存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)故障時(shí)的開(kāi)關(guān)量和模擬量，用于故障顯示和分析。

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC應(yīng)用介紹：
PB85RS2MC是一種不需要刷新周期的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，無(wú)需緩沖，數(shù)據(jù)可以立即存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成的。具備三大優(yōu)勢(shì)：高讀寫(xiě)入耐久性、高速寫(xiě)入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類(lèi)型存儲(chǔ)器無(wú)法比擬的。比如鐵電存儲(chǔ)器寫(xiě)入次數(shù)壽命高達(dá)100萬(wàn)次，而EEPROM僅有10萬(wàn)次，在需要實(shí)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的方案中中具有極大的優(yōu)勢(shì)。

PB85RS2MC的存儲(chǔ)容量為2M bit，使用的存儲(chǔ)單元可用于1E6次讀/寫(xiě)操作*1，數(shù)據(jù)保持：10年@85℃（200年@25℃）；它的工作環(huán)境溫度范圍是-40℃至85℃，符合工業(yè)級(jí)產(chǎn)品的應(yīng)用場(chǎng)景。

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC性能特征及參數(shù)：

?接口類(lèi)型：SPI接口(模式0和模式3)

?工作電壓：2.7伏至3.6伏，工作頻率：25兆赫茲

?功耗：4.8毫安（25兆赫茲），待機(jī)功耗9微安

?高速讀特性：支持40MHz高速讀命令

?工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至85℃

?封裝形式：8引腳SOP寬體208mil封裝，符合RoHS

?性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器選型介紹：

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