前 言

在許多實際項目中是需要在MCU掉電前保存一些數據，以供MCU在下一次上電后能讀取。而瑞薩的MCU RL78G13能通過瑞薩免費提供的數據閃存編程庫（FDL）來簡單快捷地實現內部Data Flash的讀寫操作。

本文是基于CS+(for CC) 開發(fā)環(huán)境，MCU是R5F100LE，FDL庫文件是在瑞薩官網下載的FDL_RL78_Type04_Installer_V200-doc-e.zip。

首先我們先解壓安裝好FDL庫

選擇CC-RL版本

安裝好后在文件夾里有以下4個文件，之后需要添加到工程里面。

之后新建一個工程，并添加剛才4個文件到工程中，由于FDL庫的運行需要用到MCU的內部時鐘，所以選擇默認的內部時鐘（fIH），頻率32M。

選擇使用Data Flash，并點擊生成代碼（Generate Code）

這樣我們就已經生成了基于FDL庫的代碼，現在直接調用代碼中的函數就能實現讀寫Data Flash。

我們現在來測試一下，本次測試的預想結果是在MCU的dataflash起始地址F1000H寫入5個數據，然后再從中讀取存放到目標數組中。

首先我們在r_main.c文件中定義兩個數組，tx_buf1為寫入數據的數組，rx_buf1為讀取數據的數組。然后在main函數中調用r_cg_pfdl.c中的一些函數，如下圖所示代碼：

在讀寫Data Flash時，首先調用R_FDL_Open函數來實現啟動FDL庫，之后我們擦除目標地址的數據，該MCUu是4k的Data Flash，而FDL庫每次操作擦除的地址是1k，所以把4k的地址分為4個塊，而目標地址F1000H處于塊0，即調用R_FDL_Erase(0);然后在F1000H的地址開始寫入數組tx_buf1的5個數據，調用R_FDL_Wirte(0x0000, tx_buf1[0],5);0x0000為F1000H的相對地址，此說明在該FDL庫的用戶手冊有寫到，如下圖：

從F1000H開始讀取之前寫入的5個數據存入數組rx_buf1中，即調用了函數R_FDL_Read(0x0000, rx_buf1[0],5)。最后完成擦除寫入讀取操作，關閉庫操作，即調用R_FDL_Close()函數。

代碼完成后我們仿真驗證一下，通過Memory1看到，寫入數據成功，如下圖

而通過查看watch1中rx_buf[1]數組的值可以看到，讀取數據成功，如下圖

總結

以上就是基于瑞薩提供的FDL庫來實現RL78G13 Data Flash的讀寫操作，真的是十分的簡單快捷，用戶無需過多的查看手冊都可以十分迅速地掌握。通過瑞薩的開發(fā)環(huán)境CS+(for CC)，可以實現瑞薩RL78系列MCU的外設的選擇、配置、代碼生成，大大減少了開發(fā)人員對于MCU底層的配置，從而縮短了整個項目的開發(fā)周期，這也是瑞薩RL78系列MCU深受廣大嵌入式開發(fā)人員的好評之一。

來源：瑞薩MCU小百科
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審核編輯 黃宇