引言
由于在室溫下的低電阻率和低材料成本,銅(Cu)被積極地考慮作為高質(zhì)量和大面積TFT-LCD的金屬電極的候選。事實(shí)上,開(kāi)發(fā)具有低電阻率的金屬電極工藝是下一代高質(zhì)量和大面積TFT-LCD的核心技術(shù)。這是因?yàn)閷?duì)于更高的孔徑比,電極長(zhǎng)度的增加和電極寬度的減小增加了電路的電阻和電容,并導(dǎo)致TFT- LCD裝置的閃爍和串?dāng)_現(xiàn)象。
對(duì)于銅干法蝕刻在大面積TFT-LCD制造中的應(yīng)用,ECR等離子體系統(tǒng)由于可擴(kuò)展性的問(wèn)題而不能使用。然而,對(duì)于一些高密度等離子體源,例如電感耦合等離子體(ICP),可以應(yīng)用于TFT-LCD基板的大面積源正在開(kāi)發(fā)中,并且這些源可以應(yīng)用于TFT-LCD的Cu干法蝕刻處理。
因此,在本研究中,英思特使用電感耦合等離子體(ICP)作為可縮放的高密度等離子體源之一,并使用較小的ICP源研究其銅干法蝕刻特性,作為紫外線強(qiáng)度、源和偏壓功率以及Cl2/Ar比的函數(shù),研究其在大面積TFT-LCD加工中的可能應(yīng)用。
實(shí)驗(yàn)與討論
在該實(shí)驗(yàn)中,我們使用在13.56MHz RF功率下操作的平面電感耦合等離子體(ICP)源,并且高達(dá)650 W的RF功率被施加到該源。ICP源由12cm直徑和3.5螺旋圈數(shù)的水冷銅線圈組成,1.5cm厚的石英板用于將感應(yīng)功率傳遞給等離子體并將真空室與ICP源分開(kāi)。在石英板的頂部,放置峰值波長(zhǎng)為365nm和10mW/cm2的UV燈,以研究UV輻射的影響。
圖1顯示了UV和ICP源功率對(duì)銅蝕刻速率的影響,其中源功率的范圍為200-400w,UV強(qiáng)度為0-10mw/cm2。沒(méi)有施加偏壓,在7毫托的操作壓力下,Cl2/Ar比為0.5。襯底溫度保持在室溫。如圖所示,當(dāng)不施加紫外線時(shí),通過(guò)形成非揮發(fā)性蝕刻產(chǎn)物如氯化銅,觀察到Cu膜的膨脹。隨著UV強(qiáng)度的增加,在相同的ICP功率下溶脹減少,并且在高于300 W的ICP源功率的情況下,在高于3mW/cm2的UV強(qiáng)度下觀察到Cu膜的蝕刻而不是溶脹。
圖1:紫外線照射和ICP源功率對(duì)銅蝕刻速率的影響
圖2顯示了600W感應(yīng)功率和75W偏置功率下Cl2/Ar比率對(duì)銅蝕刻速率的影響。不施加紫外線,操作壓力保持在7毫托。如圖所示,當(dāng)Cl2/Ar比高于0.5時(shí),發(fā)生膨脹而不是蝕刻,這可能是由于氯化銅的形成比它們的去除更快。因此,為了蝕刻銅膜,需要適當(dāng)?shù)墓に?a target="_blank">參數(shù)組合。我們以0.5的Cl2/Ar比蝕刻300nm厚的銅膜1分鐘后,研究蝕刻的Cu表面的粗糙度,結(jié)果示于圖3中。
圖2:在600 W感應(yīng)功率和75 W偏置功率下,Cl2/Ar比值對(duì)銅蝕刻速率的影響
圖3:AFM測(cè)定的蝕刻Cu的表面粗糙度
由于在該條件下的蝕刻速率約為300納米/分鐘,所以玻璃基板上的銅膜僅被蝕刻,并且可能殘留一些銅殘留物玻璃表面由于沉積和蝕刻的不均勻性。然而,如圖所示,玻璃表面的RMS表面粗糙度為約0.5nm,并且當(dāng)在相同的蝕刻條件下對(duì)400nm厚的銅膜去除300nm后測(cè)量Cu膜的表面時(shí),可以獲得類似的結(jié)果。因此,在不施加UV的情況下,在具有偏壓功率的銅蝕刻之后,可以獲得平滑的銅蝕刻表面或平滑的玻璃表面。
結(jié)論
在本研究中,英思特用高于300W的感應(yīng)功率和高于3mW/cm2的365nm紫外光可以成功刻蝕銅薄膜。365nm UV對(duì)Cu膜的照射似乎去除了在暴露于高密度Cl2/Ar等離子體期間表面上形成的氯化銅。即使在暴露于Cl2/Ar等離子體期間,我們可以通過(guò)施加UV來(lái)蝕刻Cu膜,但是在TFT-LCD加工所需的大面積上獲得均勻的UV強(qiáng)度是不同的。
幸運(yùn)的是,我們通過(guò)在電感耦合等離子體之外施加偏壓功率,可以成功地刻蝕銅膜,并且在本實(shí)驗(yàn)中,在沒(méi)有UV的情況下,在600W的電感功率、75W的偏壓功率、7毫托的操作壓力和0.5的Cl2/Ar氣體比下,可以獲得接近300nm/min的刻蝕速率。在這種情況下,即使側(cè)壁蝕刻輪廓有點(diǎn)粗糙,我們也可以獲得TFT-LCD加工所需的傾斜Cu蝕刻輪廓,而不會(huì)在蝕刻的玻璃表面上留下任何殘留物。
審核編輯 黃宇
-
電極
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
821瀏覽量
27246 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9704瀏覽量
138449 -
蝕刻
+關(guān)注
關(guān)注
9文章
414瀏覽量
15440 -
UV
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
67瀏覽量
2706
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
TFT/LCD結(jié)構(gòu)-摘自《TFT/LCD薄膜晶體管尋址的液晶顯示器》
TFT液晶屏里的一個(gè)像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)多少個(gè)薄膜晶體管?
TFTLCD薄膜晶體管液晶顯示器簡(jiǎn)介
薄膜晶體管液晶顯示器技術(shù)
律美發(fā)布全彩色圖像顯示技術(shù)中的InfoVue薄膜晶體管液晶顯
律美公司發(fā)布全彩色圖像顯示技術(shù)中的InfoVue薄膜晶體管家
用邏輯電源電平調(diào)節(jié)薄膜晶體管液晶顯示(TFT LCD)平板顯
![用邏輯電源電平調(diào)節(jié)<b class='flag-5'>薄膜晶體管</b><b class='flag-5'>液晶</b>顯示(TFT LCD)平板顯](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/D3/wKgZomUMOkyABZ7YAACRpGm6aCc444.jpg)
計(jì)算機(jī)用薄膜晶體管液晶顯示器節(jié)能標(biāo)章能源效率基準(zhǔn)與標(biāo)示方法
薄膜晶體管液晶顯示器制造廠LCM制程區(qū)段訂單答交模式之構(gòu)建研究
薄膜晶體管原理與技術(shù)知識(shí)點(diǎn)2015
LCM彩色有源矩陣薄膜晶體管LCD的產(chǎn)品規(guī)格資料免費(fèi)下載
![LCM彩色有源矩陣<b class='flag-5'>薄膜晶體管</b>LCD的產(chǎn)品規(guī)格資料免費(fèi)下載](https://file.elecfans.com/web1/M00/95/49/pIYBAFz12K-AVH5tAAG4mnd_az8340.png)
STM32F030單片機(jī)和TFT薄膜晶體管的電路原理圖免費(fèi)下載
![STM32F030單片機(jī)和TFT<b class='flag-5'>薄膜晶體管</b>的電路原理圖免費(fèi)下載](https://file.elecfans.com/web1/M00/AC/E0/o4YBAF3I0kqAckW-AAGlVLomj6w439.png)
薄膜晶體管液晶顯示器件的制造_測(cè)試與技術(shù)發(fā)展
紫外輔助清洗對(duì)非晶氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管穩(wěn)定性的影響
![紫外輔助清洗對(duì)非晶氧化物半導(dǎo)體<b class='flag-5'>薄膜晶體管</b>穩(wěn)定性的影響](https://file.elecfans.com//web2/M00/2D/20/poYBAGHhEBuAKiH4AACD-gTNfuk027.jpg)
評(píng)論