本文作者：安森美電源方案事業(yè)群工業(yè)方案部高級總監(jiān)Sravan Vanaparthy

如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動汽車 (EV) 和太陽能光伏 (PV) 應(yīng)用中帶來的性能優(yōu)勢已經(jīng)得到了廣泛認(rèn)可。不過，SiC 的材料優(yōu)勢還可能用在其他應(yīng)用中，其中包括電路保護領(lǐng)域。本文將回顧該領(lǐng)域的發(fā)展，同時比較機械保護和使用不同半導(dǎo)體器件實現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點。最后，本文還將討論為什么 SiC 固態(tài)斷路器日益受到人們青睞。

輸配電系統(tǒng)以及靈敏設(shè)備都需要妥善的保護，以防因為長時間過載和瞬態(tài)短路情況而受到損壞。隨著電力系統(tǒng)和電動汽車使用的電壓越來越高，可能的最大故障電流也比以往任何時候都更高。為了針對這些高電流故障提供保護，我們需要超快速交流和直流斷路器。過去，機械斷路器一直是此類應(yīng)用的主要選擇，然而隨著工作要求越來越嚴(yán)苛，固態(tài)斷路器越來越受到歡迎。相較于機械斷路器，固態(tài)斷路器具有許多優(yōu)勢：

• 穩(wěn)健性和可靠性：機械斷路器內(nèi)含活動部件，因此相對易于受損。這意味著它們?nèi)菀讚p壞或因為運動而意外自動斷開，并且在使用期間，每次復(fù)位都會出現(xiàn)磨損。相比之下，固態(tài)斷路器不含活動部件，因此更加穩(wěn)健可靠，也不太容易出現(xiàn)意外損壞，因此能夠反復(fù)進(jìn)行數(shù)千次斷開/閉合操作。

• 溫度靈活性：機械斷路器的工作溫度取決于其制造材料，因此在工作溫度方面存在一定的限制。相比之下，固態(tài)斷路器的工作溫度更高并且可以調(diào)節(jié)，因此它能夠更加靈活地適應(yīng)不同的工作環(huán)境。

• 遠(yuǎn)程配置：機械斷路器在跳閘后需要人工手動復(fù)位，這可能非常耗時且成本高昂，特別是在多個安裝點進(jìn)行大規(guī)模部署的情況下，另外也可能存在安全隱患。而固態(tài)斷路器則可以通過有線或無線連接進(jìn)行遠(yuǎn)程復(fù)位。

• 開關(guān)速度更快且不會產(chǎn)生電弧：機械斷路器在開關(guān)時可能會產(chǎn)生較大的電弧和電壓波動，足以損壞負(fù)載設(shè)備。固態(tài)斷路器采用軟啟動方法，可以保護電路不受這些感應(yīng)電壓尖峰和電容浪涌電流的影響，而且開關(guān)速度要快得多，在發(fā)生故障時只需幾毫秒即可切斷電路。

• 靈活的電流額定值：固態(tài)斷路器具有可編程的電流額定值，而機械斷路器則具有固定的電流額定值。

• 尺寸更小、重量更輕：相較于機械斷路器，固態(tài)斷路器重量更輕、體積更小。

雖然固態(tài)斷路器相較于機械斷路器具有多項優(yōu)勢，但它們也存在一些缺點，具體包括電壓/電流額定值受限制、導(dǎo)通損耗更高且價格更貴。通常，對于交流應(yīng)用，固態(tài)斷路器基于可控硅整流器 (TRIAC)，而對于直流系統(tǒng)，則基于標(biāo)準(zhǔn)平面 MOSFET。TRIAC 或 MOSFET 負(fù)責(zé)實現(xiàn)開關(guān)功能，而光隔離驅(qū)動器則用作控制元件。然而，在具有高輸出電流的情況下，基于 MOSFET 的高電流固態(tài)斷路器需要使用散熱片，這就意味著它們無法達(dá)到與機械斷路器相同的功率密度水平。

同樣地，使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 實現(xiàn)的固態(tài)斷路器也需要散熱片，因為當(dāng)電流超過幾十安培時，飽和電壓會導(dǎo)致過多的功率損耗。舉例來說，當(dāng)電流為 500 安培時，IGBT 上的 2V 壓降會產(chǎn)生高達(dá) 1000W 的功率損耗。對于同等功率水平，MOSFET 需要具有約 4 m? 的導(dǎo)通電阻。隨著電動汽車中器件的電壓額定值朝著 800V（甚至更高）發(fā)展，目前沒有單一器件能夠?qū)崿F(xiàn)這一電阻水平。雖然理論上可以通過并聯(lián)多個器件來實現(xiàn)該數(shù)字，但這樣的做法會顯著增加方案的尺寸和成本，尤其是在需要處理雙向電流的情況下。

與硅芯片相比，SiC 芯片在相同額定電壓和導(dǎo)通電阻條件下，尺寸可以縮小多達(dá)十倍。此外，與硅器件相比，SiC 器件的開關(guān)速度至少快 100 倍，并且它可以在高達(dá)兩倍以上的峰值溫度下工作。同時，SiC 具有出色的導(dǎo)熱性能，因此在高電流水平下具有更好的穩(wěn)健性。安森美利用 SiC 的這些特性開發(fā)了一系列 EliteSiC 功率模塊，其 1200V 器件的導(dǎo)通電阻低至 1.7m?。這些模塊在單個封裝中集成了兩到六個 SiC MOSFET。

燒結(jié)芯片技術(shù)（將兩個獨立芯片燒結(jié)在一個封裝內(nèi)）甚至在高功率水平下也能提供可靠的產(chǎn)品性能。由于具備快速開關(guān)行為和高熱導(dǎo)率，因此該類器件可以在故障發(fā)生時快速而安全地“跳閘”（斷開電路），阻止電流流動，直到恢復(fù)正常工作條件為止。這樣的模塊展示了越來越有可能將多個 SiC MOSFET 器件集成到單個封裝中，以實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和小尺寸，從而滿足實際斷路器應(yīng)用的需求。此外，安森美還提供承受電壓范圍為 650V 到 1700V 的 EliteSiC MOSFET 和功率模塊，因此這些器件也可用于打造適合單相和三相家庭、商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用的固態(tài)斷路器。安森美具有垂直整合的 SiC 供應(yīng)鏈，能夠提供近乎零缺陷的產(chǎn)品，這些產(chǎn)品經(jīng)過全面的可靠性測試，能夠滿足固態(tài)斷路器制造商的需求。

圖 1：安森美完整的端到端碳化硅 (SiC) 供應(yīng)鏈

圖 3：適用于固態(tài)斷路器應(yīng)用的安森美模塊

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