存儲器大廠美光科技（Micron）宣布推出采用 1β 制程節點技術的 16Gb DDR5 存儲器。美光1β DDR5 DRAM 的內置系統功能速率可達7200MT/s，目前已出貨給所有資料中心及 PC 端客戶。美光1β DDR5 存儲器采用先進高介電常數CMOS 制程、四相位時脈及時脈同步，相較于前一代產品，性能可提升50%，每瓦性能功耗可降低33%。

美光科技指出，為應對資料中心工作負載所需，CPU 內核數持續增加，為突破「存儲器墻」（Memory Wall）瓶頸，同時為客戶提供最佳化的總擁有成本，對于存儲器頻寬及容量需求也隨之大幅提升。美光1β DDR5 DRAM 可擴大運算能力，并以更高性能輔佐資料中心及客戶端平臺，支持 AI 訓練及推論、生成式 AI、資料分析、存儲器資料庫等。全新1β DDR5 DRAM 產品在現有模組化密度中，速率可達 4800MT/s 至 7200MT/s，適用于資料中心及客戶端應用。

美光核心運算DRAM 產品設計工程事業部企業副總裁 Brian Callaway 指出，量產 1β DDR5 DRAM 并提供給客戶及資料中心平臺，是業界一大里程碑，在我們與生態系伙伴及客戶合作下，將加速高性能存儲器產品的普及。

美光1β 技術協助提供更廣泛的存儲器解決方案，包括使用16Gb / 24Gb / 32Gb DRAM 晶粒 DDR5 RDIMMs 和 MCRDIMMs、使用 16Gb / 24Gb DRAM 晶粒的 LPDDR5X 及 HBM3E 與 GDDR7。全新美光 16Gb DDR5 存儲器產品可通過直接銷售及渠道伙伴供貨。

審核編輯：湯梓紅