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引文

包銅箔來(lái)屏蔽干擾是EMC整改中最常見的措施之一，銅箔的高電導(dǎo)率會(huì)反射高頻的輻射干擾，比如手機(jī)中的相機(jī)或屏幕往往有大面積的包銅箔處理，見下圖（既有屏蔽功能也有散熱功能），或者主板上有屏蔽罩，可以起到良好的屏蔽作用。

在調(diào)試時(shí)，當(dāng)有懷疑的干擾源時(shí)，會(huì)嘗試對(duì)干擾源進(jìn)行包銅箔處理，來(lái)測(cè)試是否會(huì)降低干擾。

本次分析來(lái)自Intel的調(diào)試總結(jié)，是USB3.0的射頻干擾影響了2.4HGz藍(lán)牙無(wú)線設(shè)備，可以定性和定量看到銅箔屏蔽效果，

環(huán)境

下圖是系統(tǒng)工作框圖，USB3.0外設(shè)通過USB線纜與電能連接，USB線纜會(huì)輻射出干擾，這個(gè)干擾被PC的無(wú)線設(shè)備接受后產(chǎn)生噪音。

下圖是測(cè)試環(huán)境，近場(chǎng)探頭放置在USB設(shè)備（硬盤）附近，近場(chǎng)探頭采集到的干擾被前置放大后由頻譜儀來(lái)對(duì)干擾進(jìn)行分析。

下圖是分析的結(jié)果，灰色曲線是沒有USB設(shè)備連接時(shí)的情況，紅色曲線是連接USB設(shè)備之后的情況，可以看到?jīng)]有USB連接時(shí)噪聲水平大約只有-118dB，而USB設(shè)備連接后在2.4GHz附近噪聲水平達(dá)到了-100dB，上升了大約20dB。

下面對(duì)USB設(shè)備硬盤進(jìn)行包銅箔處理，如下圖所示，一共進(jìn)行了4種程度的包銅處理，從case1到case4，包的越來(lái)越嚴(yán)實(shí)，如果縫隙大的話還是有干擾會(huì)漏出來(lái)。

結(jié)果

下圖是包銅箔后的測(cè)量結(jié)果，整體可以看到包的越嚴(yán)密干擾越小，降低了近12dB。

為了進(jìn)一步降低干擾，又對(duì)連接器進(jìn)行了屏蔽，下圖是屏蔽之后的結(jié)果，灰色曲線是沒有USB設(shè)備連接的情況，噪聲水平最低。紅色是USB連接后的噪聲水屏最高，綠色是進(jìn)行連接器和線纜屏蔽后的結(jié)果，干擾得到有效抑制。

總結(jié)

總結(jié)來(lái)說，屏蔽對(duì)高頻干擾抑制效果良好，在EMC整改時(shí)是非常有效的手段，公眾號(hào)后臺(tái)回復(fù)：USB屏蔽 可以獲取完整PDF原文。但是如果是低頻的話，則是另一種玩法了。

來(lái)自Intel

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審核編輯 黃宇