一、問(wèn)題反饋：

儀器特點(diǎn)：過(guò)CLASSB、語(yǔ)音播報(bào)、LED燈顯示、MCU控制、充電電路、電池供電、泵閥部件，啟動(dòng)語(yǔ)音提示，測(cè)試完后語(yǔ)音播報(bào)。

儀器在待機(jī)、充電狀態(tài)，輻射嚴(yán)重超標(biāo)。充電狀態(tài)更嚴(yán)重，如圖1（水平）、圖2（垂直）。

圖1 充電狀態(tài)（水平）

圖2 充電狀態(tài)（垂直）

測(cè)前分析：通過(guò)分析測(cè)試數(shù)據(jù)，初步懷疑與DC/DC開關(guān)信號(hào)、泵閥開啟導(dǎo)致、MCU晶振有關(guān)，后面證實(shí)并不是。

二、整改過(guò)程

由于測(cè)試過(guò)程中全程進(jìn)進(jìn)出出，中途未保存數(shù)據(jù)，這里表述整改思路和過(guò)程。先解決工作狀態(tài)，再解決充電狀態(tài)。

整改工作狀態(tài)：

1、通過(guò)前期的分析和排查，初步懷疑是SPK信號(hào)，在語(yǔ)音播報(bào)信號(hào)中存在輻射源，且兩走線較遠(yuǎn)，見圖3所示。

圖3 SPK信號(hào)

2、根據(jù)客戶反饋和分析，在3米暗室測(cè)試工作狀態(tài)，發(fā)現(xiàn)在語(yǔ)音播報(bào)的狀態(tài)下，輻射凸顯出來(lái)，播報(bào)結(jié)束后，曲線很好。

3、懷疑是從喇叭信號(hào)線出去，將L3/L5割斷，焊接600Ω磁珠，C47/C43焊接103電容，如圖4所示位置，測(cè)試結(jié)果改善不明顯。由于3.3V輸入靠近SPK信號(hào)，故R10焊接600Ω磁珠，C27焊接104電容，有改善但不足。

圖4 所示

4、從源頭切斷，如圖5所示，切斷SPK信號(hào)，兩線都串600Ω磁珠，效果改善非常好，僅200M有個(gè)小包洛；將“3”中L3/L5/C47/C43去掉，效果一致。

圖5所示 切斷SPK信號(hào)

5、 解決200M小包洛：將“3”措施中C27 104電容去掉，徹底解決工作狀態(tài)超標(biāo)問(wèn)題（原因我們將在后面另外篇幅講解）。至此，工作狀態(tài)超標(biāo)問(wèn)題解決，措施：靠近MCU的SPK信號(hào)線串600Ω磁珠，R10電源串600Ω磁珠。

整改充電狀態(tài)：

1、充電狀態(tài)輻射超標(biāo)，初步懷疑是從USB 5V電源線輻射出去的，故在5V輸入端增加一顆磁珠，L2焊接600Ω磁珠，C13焊104電容，如圖6所示，一點(diǎn)效果都沒(méi)有。后面怎么折騰USB端口都不行。

圖6所示 USB端口

2、懷疑是喇叭信號(hào)線輻射耦合到USB信號(hào)線導(dǎo)致超標(biāo)，恢復(fù)L3/L5/C47/C43磁珠電容，效果很好，如圖7所示。

圖7所示，最終效果

三、整改方案

1、靠近MCU的SPK信號(hào)切斷，串600Ω磁珠，靠近的R10供電電源串600Ω磁珠；

2、L3/L5串600Ω磁珠，C43/C47并103電容；

其他：涉及后續(xù)改板升級(jí)的建議

1、L3/L5/C43/C47已經(jīng)預(yù)留的EMC器件，靠近MCU放置；

2、該高輻射源SPK音頻信號(hào)走線包地處理；

3、USB預(yù)留的EMC防護(hù)器件添上；

審核編輯：湯梓紅