MOSFET和IGBT內(nèi)部結構與應用
MOSFET和IGBT內(nèi)部結構不同，決定了其應用領域的不同。
1、由于MOSFET的結構，通常它可以做到電流很大，可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強，IXYS有一款MOSFET,VMM1500-0075P(75V,1500A,0.55毫歐),這是電流最大的一款；電壓高的一款IXFN38N100Q2(1000V,38A)這個是目前推廣最多的產(chǎn)品,用于高頻感應加熱。
2、IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯了。不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛，MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領域的產(chǎn)品。
3、就其應用，根據(jù)其特點：MOSFET應用于開關電源，鎮(zhèn)流器，高頻感應加熱，高頻逆變焊機，通信電源等等高頻電源領域；IGBT集中應用于焊機，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應加熱等領域 。
開關電源 (Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。
雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
150文章
8338瀏覽量
218795 -
開關電源
+關注
關注
6502文章
8555瀏覽量
488738 -
整流器
+關注
關注
28文章
1616瀏覽量
93308 -
變頻器
+關注
關注
253文章
6815瀏覽量
148842 -
IGBT
+關注
關注
1277文章
4032瀏覽量
253594
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
MOSFET與IGBT的區(qū)別
MOSFET和IGBT內(nèi)部結構不同,決定了其應用領域的不同.
1,由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐
發(fā)表于 03-25 13:43
電壓調節(jié)芯片SG3525內(nèi)部結構及功能
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電壓調節(jié)芯片SG3525內(nèi)部結構及功能.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 03-21 16:27
?0次下載
FIB機臺的內(nèi)部結構
簡單介紹FIB機臺的內(nèi)部結構。?? 首先，讓我們看一下FIB機臺的外觀圖 接下來，我們將FIB從中線剖開，是下圖這個樣子： 什么是雙束聚焦離子束顯微鏡？ 即同時具有電子束與離子束。 離子束（FIB
朗凱威帶你探秘磷酸鐵鋰電池內(nèi)部結構與奧秘
本文將深入剖析磷酸鐵鋰電池的內(nèi)部結構，旨在讓讀者更好地了解這種電池的工作原理和性能特點，為其在不同領域的應用提供更深入的認識。同時，通過對磷酸鐵鋰電池內(nèi)部結構的研究，也有助于推動電池技術的不斷創(chuàng)新和發(fā)展，提高電池的性能和安全性，為實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的目標做出貢獻。
微處理器的內(nèi)部結構和分類
微處理器是一種高度集成的芯片，集成了CPU、內(nèi)存和輸入輸出接口等計算機系統(tǒng)的核心部件。其內(nèi)部結構復雜而精密，通常包括運算單元、控制單元和存儲單元等關鍵部分。這些部分相互協(xié)作，共同完成指令的執(zhí)行和數(shù)據(jù)的處理。
計算機主機內(nèi)部結構
計算機主機的內(nèi)部結構是一個復雜而精密的系統(tǒng)，它包含了多個關鍵組件，這些組件協(xié)同工作以實現(xiàn)計算機的各種功能。以下是對計算機主機內(nèi)部結構的詳細解析。
存儲器芯片的內(nèi)部結構及其引腳類型
的內(nèi)部結構和引腳類型對于它們的功能和與外部設備的兼容性至關重要。 存儲器芯片的內(nèi)部結構 存儲單元 ：存儲器芯片的核心是存儲單元，它們可以是電容（在DRAM中）或浮柵晶體管（在Flash中）。 地址解碼器 ：用于將輸入地址轉換為存儲單元的物理位
微處理器內(nèi)部結構介紹
微處理器作為計算機系統(tǒng)的核心部件，其內(nèi)部結構復雜而精密，集成了眾多關鍵組件以實現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)處理和控制功能。
觸發(fā)器的內(nèi)部結構是什么
觸發(fā)器的內(nèi)部結構因類型和設計而異，但通常包括一些基本的組成部分，如存儲元件、控制門電路和反饋電路。以邊沿觸發(fā)器為例，其內(nèi)部結構相對復雜，但可以通過分解其關鍵組成部分來詳細闡述。
請問LM2901產(chǎn)地不同內(nèi)部結構是否有差別？
LM2901PWR馬來西亞產(chǎn)地和菲律賓產(chǎn)地X線照出來內(nèi)部結構不太一樣，這個是產(chǎn)地工藝不同導致的嗎
發(fā)表于 08-07 08:25
IGBT吸收電容的定義與原理
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）吸收電容的原理是一個復雜而重要的概念，它涉及到IGBT器件的內(nèi)部結構、工作原理以及電流電壓波動等多個方面。以下是對
OPA2330器件內(nèi)部結構異常的原因？
您好，我司購買的OPA2330AIDGKRREV:C 內(nèi)部結構與我司在庫的存件 REV:E 版本的結構存在不同，請問此情況是否正常
REV:C 內(nèi)部結構圖片
REV:E 內(nèi)部結構圖片
發(fā)表于 08-02 11:43
DRAM的內(nèi)部結構和工作原理
今天我們來聊聊在計算機領域中非常關鍵的技術——DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的內(nèi)部結構和工作原理。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論