做模擬IC的,大部分都熟悉Razavi那本經(jīng)典之作,書(shū)中有一小節(jié)介紹過(guò)一個(gè)“與電源無(wú)關(guān)的偏置電流(Current Bias)”。好了,問(wèn)題來(lái)了,
請(qǐng)聽(tīng)題,以下這張圖中,寬長(zhǎng)比尺寸M3=M4, M2=K*M1 (K>1),請(qǐng)問(wèn)哪個(gè)是正確的“與電源無(wú)關(guān)的偏置電流”,抑或是這兩個(gè)都正確、實(shí)際IC中都可以用嗎?
偏置電流?是的,一個(gè)IC系統(tǒng),一般都需要有電流源來(lái)給其他模塊提供參考電流。一個(gè)好的參考電流源,要環(huán)路穩(wěn)定,也需要盡量減少其對(duì)電源電壓、溫度以及工藝的變化的影響。
表面上看這兩個(gè)電路圖都實(shí)現(xiàn)了Current Bias的功能。該電路中由兩個(gè)M3和M4尺寸相等,構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu),所以I1 =I2 。M2尺寸是M1的K倍,根據(jù)M1和M2的VGS之差(主要是有落在M2管源端電阻Rs上的壓降造成的)可以得到輸出電流的表達(dá)式:
若M1,M2管是工作在飽和區(qū),則輸出參考電流Iref以及M1的跨導(dǎo)分別為 ^[^ ^1^ ^]^ :(拿個(gè)小本本,自己去推算了哦,這里就不寫(xiě)詳細(xì)步驟了)
若M1,M2管是工作在亞閾值區(qū),則由于亞閾值區(qū)的工作電流為:
其中,I0為單位飽和電流,VT = kT/q,ζ是亞閾值斜率因子。如果VDS >>VT ,那么exp(VGS /ζVT )可以忽略。因I1 =I2 ,所以輸出參考電流Iref以及M1的跨導(dǎo)分別為:
雖然看著偏置電流值都一樣,但是其他方面呢?正如上圖紅色箭頭線所標(biāo)志的一樣,如果A點(diǎn)向上擾動(dòng)的話,經(jīng)過(guò)環(huán)路一整圈以后,還是向上擾動(dòng);也就是說(shuō)這是一個(gè)正反饋環(huán)路。那么這個(gè)環(huán)路能穩(wěn)定么?
以下通過(guò)兩種方法來(lái)分析一下。
第一種穩(wěn)定性分析方法是從整體環(huán)路增益角度來(lái)看兩個(gè)電路。對(duì)于圖1 (a)電路中的整體環(huán)路增益為(為計(jì)算方便,應(yīng)從A點(diǎn)斷開(kāi),信號(hào)向B點(diǎn)傳輸,即逆時(shí)針?lè)较?:
而對(duì)于圖1(b)電路中的整體反饋環(huán)路增益為(為計(jì)算方便,應(yīng)從A點(diǎn)斷開(kāi),信號(hào)向B點(diǎn)傳輸,即順時(shí)針?lè)较?:
根據(jù)奈奎斯特定律 ^[2]^ :“如果一個(gè)系統(tǒng)在180°相移處,環(huán)路增益大于1,則這個(gè)放大器是不穩(wěn)定的”;所以無(wú)論NMOS管是工作在飽和區(qū),還是在亞閾值區(qū),都有圖1中(a)電路、也即傳統(tǒng)經(jīng)典電路是穩(wěn)定的,而(b)則不是穩(wěn)定的。
第二種穩(wěn)定性分析方法是采用直觀觀察法;哈哈,終于等來(lái)了大家喜聞樂(lè)見(jiàn)的“直覺(jué)”感。由于M3, M4是電流鏡,所以下面的NMOS管和電阻應(yīng)該在相同的柵電平下保證能提供相同的電流。M1管的跨導(dǎo)為g m ,而M2和電阻的等效跨導(dǎo)為:
由于M2的等效跨導(dǎo)較小(其實(shí)也可以從負(fù)反饋角度考慮,負(fù)反饋檢測(cè)電流,反饋回電壓,所以M2是跨導(dǎo)放大器,由于結(jié)成了負(fù)反饋,所以肯定跨導(dǎo)要減小),所以為了保證左右支路電流始終相等,還是從A點(diǎn)斷開(kāi),A點(diǎn)左邊的電壓變化比A點(diǎn)右邊的小即可滿足。(挺住哈,別被饒暈過(guò)去哈?。?/p>
而圖 1 (a)中正反饋的方向是逆時(shí)針的,所以M2處大的電壓波動(dòng),到了M1的柵端反而變小了,所以正反饋減弱,系統(tǒng)穩(wěn)定。
而圖1 (b)中正反饋的方向是順時(shí)針的,M1處有電壓波動(dòng)時(shí),通過(guò)正反饋環(huán),到M2處需要更大的電壓波動(dòng)才能保證相同的電流,即M1處的電壓被放大了,所以系統(tǒng)不穩(wěn)定。
隨著集成電路工藝的不斷先進(jìn),最小線寬的不斷減小,其也同時(shí)要求最低工作電壓在不斷減?。辉诘蛪涵h(huán)境中,電源上的微小噪聲就顯得不再“微小”了,其就更是可以影響整個(gè)系統(tǒng)環(huán)境。隨著數(shù)?;旌想娐泛?a target="_blank">射頻電路的不斷發(fā)展,以及其單片片上集成(SOC)技術(shù)的發(fā)展,電源噪聲對(duì)于一些敏感電路(對(duì)電源變化和噪聲敏感的電路)而言,非常容易影響其的性能,進(jìn)而影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。
例如,手機(jī)或者藍(lán)牙中一般含有的射頻RF電路,包括LNA(低噪聲放大器)、混頻器mixer、鎖相環(huán)PLL、壓控振蕩器VCO等,如果有電源噪聲,則會(huì)增大VCO的相位噪聲,而且會(huì)進(jìn)入接收或者發(fā)送放大器,從而對(duì)系統(tǒng)正常工作造成非常大的影響,不僅是手機(jī)系統(tǒng)的音頻質(zhì)量會(huì)下降,而且會(huì)造成多媒體手機(jī)拍攝的圖像中有可視的干擾,所以必須對(duì)電源噪聲進(jìn)行處理之后才能給敏感模塊使用。
咱們的電流偏置,也更是要考慮低電壓應(yīng)用下,對(duì)電源的抑制能力(Power Supply Rejection)?。?/p>
以上分析的經(jīng)典電路,其電源抑制能力也較一般。原因在于雖然說(shuō)M3,M4構(gòu)成了電流鏡,其柵源電壓均相等,但是由于兩者的漏端和電源VDD的相關(guān)性不同:M3的漏端隨著VDD的變化而變化,M4的漏端和VDD沒(méi)有直接關(guān)系;所以兩者電流拷貝存在誤差。
可以采用共源共柵結(jié)構(gòu)來(lái)改善該問(wèn)題,如下圖圖2所示??梢杂?jì)算該電路的環(huán)路增益,其實(shí)和傳統(tǒng)的參考電流源一樣,但是通過(guò)共源共柵結(jié)構(gòu),使得電流鏡拷貝準(zhǔn)確度提高了大約gmro倍,使得電流較準(zhǔn)。
但是低壓環(huán)境限制了共源共柵的應(yīng)用。因?yàn)樵摻Y(jié)構(gòu)的最小電源電壓為IRs+Vthn+Vonn+|Vthp|+|Vonp|,很容易超過(guò)2 V。哎呀,飛升上神的路上又遇阻了:有沒(méi)有再理想的一種電流源結(jié)構(gòu),能很好的解決了PSR的問(wèn)題,同時(shí)又不需要特別高的電源電壓呢?
答案當(dāng)然是有了!下文介紹的三支路電流源 ^[3]^ 就能很好的解決PSR的問(wèn)題,同時(shí)又不需要特別高的電源電壓。
因?yàn)槠鋵3管的diode連接結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)至M5管,那么電源變化時(shí)對(duì)M3和M4的影響就小了。同時(shí)可以通過(guò)調(diào)整M5和M6,使Vg6=Vg2,即圖中B點(diǎn)和C點(diǎn)電壓相等,VB=VC,那么M3,M4管工作狀態(tài)基本完全一樣,基準(zhǔn)電流的電源抑制特性得到加強(qiáng)。
該電路也有環(huán)路,一個(gè)是紅色實(shí)線顯示的正反饋,一個(gè)是藍(lán)色虛線顯示的負(fù)反饋??梢苑謩e計(jì)算一下其環(huán)路增益:(這里不妨假設(shè)M1管和M6管相同,M2管尺寸依然是兩者的K倍;M1, M6, M2均可以工作在飽和區(qū)或者亞閾值區(qū)。)
可以看出來(lái)同經(jīng)典的Bias電路相同,三支路電流源也是負(fù)反饋大于正反饋,所以該系統(tǒng)是穩(wěn)定的。
這個(gè)電路,還有改進(jìn)的空間?。∽鯥C嘛,誰(shuí)不是天天在壓成本、省面積?所謂的:賣的白菜價(jià)、操的白粉心;學(xué)的比互聯(lián)網(wǎng)難、掙的比互聯(lián)網(wǎng)少。改進(jìn),繼續(xù)改:這里主要改進(jìn)的是M6管的連接方式,其電流也流過(guò)了Rs電阻(見(jiàn)圖4),所以所需要的Rs電阻可以明顯減小,從而節(jié)約了芯片總面積 。同時(shí)為了減小系統(tǒng)功耗,需要盡量的降低各路電流,所以Bias產(chǎn)生電流較小。若M1, M2, M6管工作在飽和區(qū),那么可能需要用倒比管,而倒比管模型的仿真精確度不如常規(guī)的管子;所以可以采用M1, M2, M6管工作在亞閾值區(qū)。
假設(shè)Ki表示Mi管相對(duì)于單位尺寸的倍數(shù),可以根據(jù)M1管和M2管的柵電壓VG相同列出等式,其中將M1,M2管的Vgs電壓通過(guò)式(1-4)代入等式,而可以得到輸出參考電流表達(dá)式為:
這個(gè)偏置電流和電源電壓的相關(guān)性非常小,所以PSR比較好。
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