據(jù)Yole報(bào)道，盡管 MCU 市場(chǎng)在 2022 年年底表現(xiàn)強(qiáng)勁，但預(yù)計(jì) 2023 年上半年將出現(xiàn)下滑，下半年將逐漸恢復(fù)，更換周期與大流行驅(qū)動(dòng)的峰值有關(guān)。通貨膨脹和全球沖突持續(xù)存在，但潛在衰退的跡象正在減弱。

Yole預(yù)計(jì)，2023 年 MCU 收入將小幅下降至 229 億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為 5.3%（2022-2028 年）。盡管 2023 年將面臨挑戰(zhàn)，但通貨膨脹和被壓抑需求的減少預(yù)計(jì)將刺激增長(zhǎng)，到 2028 年將達(dá)到約 320 億美元。預(yù)計(jì) 2023 年平均售價(jià)將小幅增長(zhǎng)，全年保持歷史最高水平，然后逐漸下降2024 年和 2022-2028 年平均售價(jià)復(fù)合年增長(zhǎng)率為 2.3%。

Yole表示，全球MCU出貨量受益于2023年下半年的強(qiáng)勁增長(zhǎng)，但上半年的疲軟預(yù)計(jì)將導(dǎo)致下降至265億顆。2022年至2028年的短期MCU市場(chǎng)因全球地緣政治而面臨不確定性，而在自動(dòng)化和連接性的推動(dòng)下，MCU的長(zhǎng)期需求依然強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)到2028年將增長(zhǎng)至超過(guò)367億顆。

Yole提供的數(shù)據(jù)指出，2023年，MCU平均售價(jià)預(yù)計(jì)將小幅上漲，并全年保持在歷史高位。由于供應(yīng)鏈中斷而轉(zhuǎn)向價(jià)格更高的 MCU 可能會(huì)成為新常態(tài)。4/8/16 位市場(chǎng)份額的下降速度比預(yù)期更快，在 RISC-V 架構(gòu)和對(duì)高級(jí)功能的需求的推動(dòng)下，大部分增長(zhǎng)發(fā)生在 32 位領(lǐng)域。到 2028 年，按收入計(jì)算，4/8/16 位市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將降至 33% 以下。

在排名前五的 MCU 細(xì)分市場(chǎng)中，按收入計(jì)算，汽車預(yù)計(jì)到 2023 年將占 MCU 市場(chǎng)的近 39%，而工業(yè)和其他領(lǐng)域仍保持在 24%。與此同時(shí)，由于強(qiáng)勁的嵌入式安全趨勢(shì)，智能卡/安全 MCU 預(yù)計(jì)將達(dá)到 14%。另一方面，由于設(shè)備更換率較低，消費(fèi)者細(xì)分市場(chǎng)預(yù)計(jì)將下降至略高于 11%，個(gè)人數(shù)據(jù)處理比例將下降至 5%。

總結(jié)而言，2023 年，汽車行業(yè)將繼續(xù)成為 MCU 收入的重要推動(dòng)力，從而帶動(dòng)整體 ASP 的增長(zhǎng)。與此同時(shí)，工業(yè)和其他應(yīng)用將保持穩(wěn)定的份額，而智能卡/安全 MCU 預(yù)計(jì)將在強(qiáng)勁的嵌入式安全趨勢(shì)的推動(dòng)下增長(zhǎng)。然而，消費(fèi)者細(xì)分市場(chǎng)將略有下降，個(gè)人數(shù)據(jù)處理也將減少，這主要是由于設(shè)備更換率有限。此外，MCU市場(chǎng)之前的供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)似乎已經(jīng)得到解決。

EMEA MCU 供應(yīng)商主導(dǎo)市場(chǎng)，但中國(guó)大陸增長(zhǎng)強(qiáng)勁

領(lǐng)先的 MCU 設(shè)計(jì)商，包括英飛凌、瑞薩和恩智浦，展開(kāi)了激烈的競(jìng)爭(zhēng)，彼此之間的差異微乎其微。恩智浦繼續(xù)保持其在汽車MCU市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。隨著 COVID-19 大流行過(guò)渡到流行階段，MCU 供應(yīng)商一直在全球范圍內(nèi)調(diào)整其策略。競(jìng)爭(zhēng)格局保持穩(wěn)定，小型供應(yīng)商數(shù)量不斷增加，尤其是在亞洲市場(chǎng)。

中國(guó)主要OEM廠商已進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)，特別關(guān)注MCU制造。它們的增長(zhǎng)是由智能家居生態(tài)系統(tǒng)、汽車行業(yè)的需求不斷增長(zhǎng)以及人工智能在各種應(yīng)用中的采用推動(dòng)的。這些公司積極參與芯片設(shè)計(jì)，以加強(qiáng)供應(yīng)鏈控制。此外，內(nèi)部 MCU 開(kāi)發(fā)可實(shí)現(xiàn)自給自足。為了鞏固這些公司的地位，這些中國(guó)公司進(jìn)行了大量投資。

能源效率仍然是主要特征，同時(shí)也追求高性能

邊緣計(jì)算和物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 的興起導(dǎo)致對(duì)功能更強(qiáng)大的混合 MCU 作為復(fù)雜片上系統(tǒng) （SoC） 和微處理器單元 （MPU） 替代品的需求增加。多核處理器變得越來(lái)越普遍，高性能MCU占MCU市場(chǎng)收入的30%。

令人驚訝的是，盡管預(yù)測(cè)會(huì)過(guò)時(shí)，但隨著價(jià)格效率差距的縮小，4/8/16 位 MCU 預(yù)計(jì)將與增長(zhǎng)更快的 32 位 MCU 一起繼續(xù)增長(zhǎng)。這些更簡(jiǎn)單的 MCU 在特定應(yīng)用中作為經(jīng)濟(jì)高效、低功耗的解決方案仍然很受歡迎。

在對(duì)卓越性能、效率和集成的需求的推動(dòng)下，MCU 正在進(jìn)入高級(jí)節(jié)點(diǎn)領(lǐng)域。這種轉(zhuǎn)變提供了微處理器和 MCU 之間的選擇，使能源效率與先進(jìn)節(jié)點(diǎn)保持一致，以滿足新興技術(shù)的需求。

在非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域，28nm以下的eFlash（嵌入式閃存）出現(xiàn)了縮放挑戰(zhàn)，從而帶來(lái)了成本挑戰(zhàn)。這促使人們探索替代嵌入式非易失性存儲(chǔ)器 （eNVM），例如 PCM、RRAM 和 MRAM。這些 eNVM 有望實(shí)現(xiàn)更高的密度和效率，并被從 28/22nm 一直到 16nm 的領(lǐng)先廠商所采用，未來(lái)的路線圖目標(biāo)是 10nm 以下的尺寸。

MCU 封裝傳統(tǒng)上以引線鍵合和倒裝芯片等架構(gòu)為主，只有一小部分過(guò)渡到晶圓級(jí)封裝。

在開(kāi)源架構(gòu)領(lǐng)域，RISC-V正在挑戰(zhàn)ARM在嵌入式核心IP領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。未來(lái)五年，RISC-V 預(yù)計(jì)將快速增長(zhǎng)，雖然它可能不會(huì)取代 ARM，但它將減緩 ARM 的增長(zhǎng)，特別是首先影響成熟或遺留技術(shù)。向 RISC-V 的過(guò)渡會(huì)帶來(lái)成本，例如開(kāi)發(fā)新技能和管理第三方依賴項(xiàng)。