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東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET適用于電池組保護(hù)

東芝半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:東芝半導(dǎo)體 ? 2023-11-09 17:39 ? 次閱讀

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)

截至目前,東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點(diǎn)聚焦于12V產(chǎn)品,主要用于智能手機(jī)鋰離子電池組的保護(hù)。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應(yīng)用提供了更廣泛的選擇,如USB充電設(shè)備電源線路的負(fù)載開(kāi)關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護(hù)。

實(shí)現(xiàn)具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))的雙向開(kāi)關(guān)需要兩個(gè)具有低RDS(ON)的MOSFET,尺寸為3.3mm×3.3mm或2mm×2mm。東芝的新產(chǎn)品采用小巧纖薄的新型封裝TCSPAG-341501(3.37mm×1.47mm(典型值),厚度=0.11mm(典型值)),同時(shí)在單封裝共漏極結(jié)構(gòu)中搭載電阻值為9.9mΩ(典型值)的源極-源極導(dǎo)通電阻(RSS(ON))。

USB PD(USB Power Delivery)專門(mén)針對(duì)需要高功率供電的設(shè)備而開(kāi)發(fā),可以提供從15W(5V/3A)直至最大240W(48V/5A)的功率。USB PD具有角色交換功能,支持電源側(cè)和接收側(cè)的互換,要求USB充電設(shè)備能夠雙向供電,以便能夠同時(shí)支持電力傳輸和電力接收。此次新產(chǎn)品就是一款支持雙向供電,表貼面積較小的N溝道共漏極MOSFET。

將該產(chǎn)品與東芝TCK42xG系列中的驅(qū)動(dòng)IC相結(jié)合可構(gòu)成具有防回流功能的負(fù)載開(kāi)關(guān)電路或可以在先合后斷(MBB)和先斷后合(BBM)之間切換操作的電源多路復(fù)用器電路。基于這種產(chǎn)品組合,東芝于今日發(fā)布了適用于電源多路復(fù)用器電路的參考設(shè)計(jì)(使用共漏極MOSFET)。使用該參考設(shè)計(jì)有助于縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)時(shí)間。

未來(lái)東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品線并改進(jìn)相關(guān)特性,以提高設(shè)計(jì)靈活性。

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適用于電源多路復(fù)用器電路的參考設(shè)計(jì)(使用共漏極MOSFET)

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電源多路復(fù)用器電路簡(jiǎn)易方框圖

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新型封裝TCSPAG-341501

應(yīng)用:

智能手機(jī)

筆記本電腦

平板電腦等

特性:

高源極-源極額定電壓:VSSS=30V

低導(dǎo)通電阻:RSS(ON)=9.9mΩ(典型值)(VGS=10V)

雙向?qū)ǖ墓猜O連接結(jié)構(gòu)

小巧纖薄的TCSPAG-341501封裝:3.37mm×1.47mm(典型值),厚度=0.11mm(典型值)

主要規(guī)格

(除非另有說(shuō)明,Ta=25℃)

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審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)

文章出處:【微信號(hào):toshiba_semicon,微信公眾號(hào):東芝半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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