“寫flash，要不要加個(gè)判斷？”這是我一個(gè)朋友的提問。

剛開始，我并沒有認(rèn)真去思考這個(gè)問題。但之后我仔細(xì)查了下資料，發(fā)現(xiàn)里面的內(nèi)容還挺多。

先看看EMMC的結(jié)構(gòu)

EMMC 是在nand flash的基礎(chǔ)上增加了一個(gè)控制器，cpu和emmc交流實(shí)際上是和它的控制器進(jìn)行交流。相當(dāng)于emmc多了一個(gè)管家。

NAND FLASH的特點(diǎn)：

1) 初始存儲(chǔ)為1

2）寫0只要操作一個(gè)page

3）寫1需要操作整個(gè)block，1個(gè)block包含多個(gè)page

--- 假裝解釋下為什么寫FLASH前，要先判斷里面的內(nèi)容。

從讀寫速度上解釋

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上面是我從一個(gè)EMMC的規(guī)格書上截圖出來的資料，EMMC的讀寫速度是不同的，不同的讀寫速度肯定是存在不同的讀寫時(shí)序，既然讀寫時(shí)序不同，那當(dāng)然應(yīng)該讓代碼越快越好。

所以，從這點(diǎn)上看，先讀判斷數(shù)值是應(yīng)該的。

EMMC可以無限次讀寫嗎？

剛開始在微信群里面討論的時(shí)候，得到的信息是，EMMC可以無限次讀，但是不能無限次寫！ 因?yàn)閷憰?huì)意味著需要對(duì)存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行擦擦操作，這個(gè)我是可以理解的。

但是實(shí)際上是怎樣的，我還是一知半解……

然后，得到一個(gè)小姐姐的指導(dǎo)之后，我大概的理解是這樣的：

EMMC完全寫滿后擦除算一次，普通的EMMC可以擦除3000次，所以容量*3000 就是EMMC可以寫入的內(nèi)容大小。「

計(jì)算壽命這點(diǎn)我還是持懷疑態(tài)度」

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后面通過查資料了解到，不同的flash顆粒，它的擦除次數(shù)和速度是不同的，這就是不能無限寫的關(guān)鍵原因。

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我們平時(shí)使用的EMMC是TLC種類，這樣的EMMC一個(gè)cell有3個(gè)bit位，可以表示 2^3 = 8中電平狀態(tài)。

狀態(tài)越少，需要表示的電平就約不精細(xì)，計(jì)算也就會(huì)越快，當(dāng)然了，價(jià)格越貴，體積會(huì)越大，這樣反而不利于消費(fèi)電子。



如上圖所示，SLC的速度很快，只需要兩個(gè)電壓級(jí)別。TLC的速度會(huì)比較慢，需要8個(gè)電壓級(jí)別來表示。

為什么EMMC的規(guī)格書上面都不寫上最大擦除或者寫入的次數(shù)？

「也就是emmc的壽命」

到目前我也沒有得到特別準(zhǔn)確的答案，有了解的同學(xué)可以在評(píng)論區(qū)回答。

不過我猜測(cè)是，因?yàn)镋MMC有控制器，如果你不斷的擦除一個(gè)位置，即使的超過最大次數(shù)，但是因?yàn)镋MMC的控制器存在，它可以改變實(shí)際存儲(chǔ)的EMMC地址，讓你做不到在同一個(gè)區(qū)域不斷的擦除。再加上容量的不確定，就不好確定EMMC的壽命了。

特斯拉召回是怎么回事？

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我猜測(cè)，可能這個(gè)系統(tǒng)上的EMMC配置很小，可能就真的存在某個(gè)程序在不斷的寫入，導(dǎo)致EMMC擦除次數(shù)達(dá)到上限。






審核編輯：劉清