在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

碳化硅龍頭優勢擴大,預計24年襯底維持供不應求

DT半導體 ? 來源:元大研究 ? 2023-11-21 15:44 ? 次閱讀

碳化硅襯底龍頭率先扭虧為盈,先發廠商優勢進一步擴大:

23Q3碳化硅襯底龍頭廠商天岳先進優勢顯著擴大:Q3單季度營收端實現3.87億元,yoy+156%,qoq+58%;利潤端實現凈利潤0.04億元,yoy+108%,qoq+109%,扭虧為盈;毛利率環比增長8pct至19%。

天岳先進預計可提前完成年產30萬片目標,并上修產能目標至年產96萬片。對比同業,天岳先進在營收體量、產能和技術等均進一步擴大先發優勢,符合此前對具備量產經驗和先發優勢廠商將擴大優勢的行業預期。

碳化硅器件廠毛利率環比降幅收窄,廠商投資策略分化

23Q3,9家碳化硅器件廠商實現營收/凈利潤180億元/16億元,同比+13%/-35%,環比+0.3%/-11%。行業整體毛利率環比下降0.44pct,較23Q2環比2.41pct降幅顯著收窄。

廠商在碳化硅投入方面產生分化,注重中低端功率器件廠商受業績波動影響,對碳化硅投入保守,而注重高端功率領域的斯達半導和三安光電保持較大投入,目前領先國內同業約1年,考慮到產能建設和下游認證周期,預計率先投入廠商將逐步擴大領先優勢,在25年左右在國內獲得穩固的行業地位。

碳化硅降本持續進行,預計24年國內襯底市場依舊供不應求

碳化硅襯底占器件成本的47%,襯底價格很大程度影響器件價格。當前6英寸襯底報價4000-5000元/片,較年初價格下降8.6%,預計24年可降至4000元/片以下。降本順利進行,碳化硅整體滲透率/需求穩步提升,預計24年國內6英寸襯底需求達113萬片,國內襯底廠中性預計下可生產83萬片,存在30萬片供給缺口,樂觀估計下仍有10萬片缺口,而Wolfspeed、安森美等海外龍頭均表明襯底緊缺,海外廠將優先供應自身或其他海外龍頭,國內襯底將維持供不應求狀態。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 功率器件
    +關注

    關注

    42

    文章

    1919

    瀏覽量

    92281
  • 襯底
    +關注

    關注

    0

    文章

    37

    瀏覽量

    9487
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3034

    瀏覽量

    50125

原文標題:碳化硅龍頭優勢擴大,預計24年襯底維持供不應求

文章出處:【微信號:DT-Semiconductor,微信公眾號:DT半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    切割進給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關系及工藝優化

    引言 在碳化硅襯底加工過程中,切割進給量是影響其厚度均勻性的關鍵工藝參數。深入探究二者的量化關系,并進行工藝優化,對提升碳化硅襯底質量、滿足半導體器件制造需求具有重要意義。 量化關系
    的頭像 發表于 06-12 10:03 ?106次閱讀
    切割進給量與<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>厚度均勻性的量化關系及工藝優化

    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產碳化硅襯底崛起的發展啟示

    )的壟斷與衰落 技術壟斷期:Wolfspeed(原CREE)曾長期主導全球碳化硅襯底市場,其物理氣相傳輸法(PVT)生長技術及6英寸襯底工藝占據絕對優勢。2018
    的頭像 發表于 03-05 07:27 ?441次閱讀
    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>崛起的發展啟示

    碳化硅薄膜沉積技術介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶
    的頭像 發表于 02-05 13:49 ?661次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術介紹

    碳化硅襯底的生產過程

    碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其出色的物理和化學特性,如高硬度、高熔點、高熱導率和化學穩定性,在半導體產業中得到了廣泛的應用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關鍵材料,其生產過程復雜
    的頭像 發表于 02-03 14:21 ?840次閱讀

    碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    一、引言 隨著碳化硅在半導體等領域的廣泛應用,對其襯底質量的檢測愈發關鍵。BOW(翹曲度)和 WARP(彎曲度)是衡量碳化硅襯底質量的重要參數,準確測量這些參數對于保證器件性能至關重要
    的頭像 發表于 01-23 10:30 ?286次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對于測量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> BOW/WARP 的影響

    不同的碳化硅襯底的吸附方案,對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    在當今蓬勃發展的半導體產業中,碳化硅(SiC)襯底作為關鍵基礎材料,正引領著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數猶如精密天平上
    的頭像 發表于 01-14 10:23 ?400次閱讀
    不同的<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>的吸附方案,對測量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> BOW/WARP 的影響

    碳化硅襯底的環吸方案相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    在半導體領域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學性能、高熱導率等優勢逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對碳化硅襯底
    的頭像 發表于 01-13 14:36 ?394次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>的環吸方案相比其他吸附方案,對于測量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> BOW/WARP 的影響

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發表于 01-04 12:37

    優化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控

    一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步,主要用于去除表面損傷層、調整表面形貌、提高表面光潔度等。然而,濕法腐蝕過程中,由于腐蝕液的選擇、腐
    的頭像 發表于 12-27 09:54 ?469次閱讀
    優化濕法腐蝕后<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>TTV管控

    用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機構

    一、碳化硅襯底TTV控制的重要性 碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點厚度最高點與最低點之間的差值。TTV的大小直接影響后續研磨、拋光工序的效
    的頭像 發表于 12-26 09:51 ?465次閱讀
    用于切割<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>TTV控制的硅棒安裝機構

    降低碳化硅襯底TTV的磨片加工方法

    一、碳化硅襯底的加工流程 碳化硅襯底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗拋和精拋(CMP)等幾個關鍵工序。每一步都對最終產品的TTV有著重要影響。 切割:將SiC晶棒沿特定方向切割成薄
    的頭像 發表于 12-25 10:31 ?561次閱讀
    降低<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>TTV的磨片加工方法

    碳化硅襯底修邊處理后,碳化硅襯底TTV變化管控

    一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰 修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個關鍵步驟,主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規則部分,以提高
    的頭像 發表于 12-23 16:56 ?487次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>修邊處理后,<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>TTV變化管控

    碳化硅襯底,進化到12英寸!

    電子發燒友網報道(文/梁浩斌)碳化硅產業當前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規模往8英寸發展,在最上游的晶體、襯底,業界已經具備大量產能,8英寸的碳化硅晶圓產線也開始逐漸落地,進入試產階段。 ? 讓
    的頭像 發表于 11-21 00:01 ?3973次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>,進化到12英寸!

    碳化硅功率器件的優勢和應用領域

    在電力電子領域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨特的性能和優勢,逐步成為行業的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,使得碳化硅功率器件在高溫
    的頭像 發表于 09-13 10:56 ?1349次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的<b class='flag-5'>優勢</b>和應用領域

    碳化硅功率器件有哪些優勢

    碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領域迅速嶄露頭角。與傳統的硅(Si)功率器件相比,碳化硅器件具有更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的飽和電子漂移速度以及更高的工作溫度等
    的頭像 發表于 09-11 10:25 ?1092次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件有哪些<b class='flag-5'>優勢</b>
    主站蜘蛛池模板: 性free3d| 校园 春色 欧美 另类 小说 | 久久国产午夜精品理论片34页 | 九九热精品视频 | 香蕉爱爱视频 | 日日噜噜噜夜夜爽爽狠狠 | 亚洲黄色网址在线观看 | 最新版天堂资源中文官网 | www成年人视频 | 亚洲成a人伦理 | 韩国三级理论在线看中文字幕 | 国产亚洲卡二卡3卡4卡乱码 | 久久国产免费福利永久 | 亚洲 另类色区 欧美日韩 | 精品亚洲综合在线第一区 | 人人爱爱人人 | 午夜 福利 视频 | 伊人网色 | 511韩国理论片在线观看 | 91拍拍在线观看 | 亚洲免费在线观看视频 | 国产成人精品曰本亚洲78 | 亚洲免费视频在线观看 | 中国性猛交xxxxx免费看 | 亚洲精品国产美女在线观看 | 久久天天躁夜夜躁狠狠躁2020 | 天天做天天爱夜夜爽女人爽宅 | 四虎精品影院 | 在线亚洲日产一区二区 | 免费看男女下面日出水视频 | 欧美十次| 黄乱色伦短篇小说h | 成人欧美精品大91在线 | 日韩中文字幕第一页 | 亚洲综合免费 | 色婷婷网| 手机看片日韩高清1024 | 色综合久久久高清综合久久久 | 日韩毛片在线视频 | 黄色的视频免费看 | 欧美极品另类xxx |