EMC設(shè)計過程中,常用的思路包括“堵”和“疏”,電感,磁珠通常用于“堵”,而電容器通常用于“疏”,個人覺得“疏“比”堵”更加可靠,“疏”可以將信號的回路引入低阻抗路徑,避免對其他信號進行干擾,而“堵”往往會引起高電壓,而高電壓又會引起電壓驅(qū)動型的共模干擾。大量實踐表明:在EMC設(shè)計中,恰當(dāng)選擇與使用電容,不僅可以解決許多EMC問題,還能充分體現(xiàn)效果良好,價格低廉,使用方便的優(yōu)點,但若電容的選擇或者使用不當(dāng),則可能根本達不到預(yù)期目的,甚至?xí)夯?a target="_blank">產(chǎn)品的EMC水平,電容的選擇不當(dāng),一個主要的原因在于沒有注意到電容的工作電壓,工作頻率,工作溫度。下面以EMC中ESD測試講述電容的選擇應(yīng)用。
實驗現(xiàn)象:在對車載產(chǎn)品進行ESD ±4KV Pin放電實驗時,發(fā)現(xiàn)有的pin腳在實驗前和實驗后RCL阻值偏離超過了10%(實驗標(biāo)準(zhǔn)),如下圖所示:
圖1 PIN腳實驗前后RCL對比
分析數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn),能夠通過ESD實驗的都是pin腳接口電路增加10nf電容,沒有通過ESD實驗的,都是pin腳接口電路既未有ESD管,也沒有10nf電容,三極管電路直接暴露在接口處。
我們查閱三極管規(guī)格書,發(fā)現(xiàn)規(guī)格書提到在 HBM模式下,該三極管可以滿足±4KV的靜電要求,但是實測結(jié)果表明,端口不增加ESD管或吸收靜電的電容,是無法通過ESD放電實驗。
圖2 對外接口選用10nf電容
圖3 對外接口沒有選用10nf電容
至于為什么選用10nf電容可以通過ESD實驗,我們查閱相關(guān)資料發(fā)現(xiàn),ESD的放電能量峰值集中在前30ns以內(nèi),頻譜圖發(fā)現(xiàn)最高能量峰值是50MHz。
圖4 電容放電曲線圖
圖5 ESD放電頻譜圖
我們通過村田網(wǎng)站的插入損耗仿真分析發(fā)現(xiàn)10nf電容,27nf電容,33nf電容在55MHz均有較低的阻抗,但是這時候,我們應(yīng)該選擇用10nf電容,這是由于27nf,33nf電容在55MHz時已經(jīng)超過了自諧振頻率,呈一定電感性,可能會跟電路中其他寄生電容,形成LC諧振,所以我們最終應(yīng)用10nf電容。
圖6 村田網(wǎng)站各個電容插入損耗圖
在選用10nf電容后,我們重新做±4KV的靜電實驗,下圖是測試結(jié)果,發(fā)現(xiàn)實驗前后所有Pin腳的RCL阻值在實驗前后都控制在10%以內(nèi),即可以通過實驗。
圖7 選用10nf電容后ESD復(fù)測結(jié)果
總結(jié):1.從降本角度考慮,不選用ESD管的情況下,10nf的電容可以幫助我們通過±4KV的Pin腳放電測試;
2. 由于制造工藝的影響,電容的工作頻率需要小于其諧振頻率,否則跟其他電容并聯(lián)使用時,會形成并聯(lián)LC諧振,引起EMI干擾。
審核編輯 黃宇
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