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為什么逆導型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路

jf_pJlTbmA9 ? 來源:英飛凌工業半導體 ? 作者:英飛凌工業半導體 ? 2023-12-01 16:42 ? 次閱讀

作者: Jaeeul Yeon,文章來源: 英飛凌工業半導體微信公眾號

對于功率因數校正(PFC),通常使用升壓轉換器Boost拓撲結構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇,如空調、加熱、通風和空調(HVAC)以及熱泵。

理論上,在連續導通模式(CCM)下,通過IGBT反向續流永遠不會發生。然而,在輕負載或瞬態條件下,由于升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振,會有反向電流流過。

這個諧振電流,iQN(t)是由以下公式給出的。
wKgaomVdioSAR-IcAADqGU6bfic148.jpg

當輸入電壓Vin低于輸出電壓的一半時(Vin

wKgaomVdioaAM7u1AADWITHdjtY755.jpg

Figure 1. PFC circuit with boost converter topology

比較用于PFC應用的不同IGBT解決方案

通過測試比較TRENCHSTOP? 5 WR6 IGBT(IKWH30N65WR6)和TRENCHSTOP? IGBT3(IGW30N60H3)在CCM-boost PFC電路中的工作波形,證明了這種現象。IKWH30N65WR6包含一個集成在IGBT芯片中的反向導電的二極管,而后者的IGBT不包含反向導電的二極管。圖2顯示,對于IKWH30N65WR6,反向電壓被鉗位到接近零。在使用IGW30N60H3的情況下,反向電壓最高達到-241V。因此,即使在PFC的CCM模式中,反向導電二極管對于確保系統的可靠性也是至關重要的。

然而,在這種情況下,對于短時間軟的反向恢復電流,我們不需要一個高性能的續流二極管。在圖2中,你可以看到IGBT的反向電流的峰值只有大約200毫安,持續時間為幾微秒。

wKgZomVdioeAF8mZAAgQH5AMfi4516.png

Without reverse conducting diode

wKgZomVdioqAXpkgAAdk46sdYms731.png

With reverse conducting diode

Figure 2. Switching waveforms of IGBTs at turn-off transition in CCM PFC at light load condition

一般來說,逆導型RC IGBT不適合于需要硬換流的應用。然而,RC IGBT對一些硬換向應用非常有利,如PFC,其中IGBT的反向續流二極管不需要有良好的反向恢復性能。在這種應用中,當高性能的二極管是多余的時候,它們提供了一個更經濟的選擇。

用于升壓PFC和逆變焊接應用的TRENCHSTOP? 5 WR6 IGBT

英飛凌最新的RC IGBT,如圖3所示,是基于TRENCHSTOP? 5 WR6 IGBT技術,其中N+區被部分植入P集電極層,形成一個內在的P-N二極管。這使得反向電流可以流動,而不需要額外的續流二極管。

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Figure 3. TRENCHSTOPTM 5 WR6 IGBT using a reverse-conducting (RC) IGBT concept

這種TRENCHSTOP? 5 WR6 IGBT非常適用于升壓PFC和逆變焊接應用。根據目標應用優化漂移區的厚度和二極管的額定值,確保了額定電流下1.4V的最佳VCE(sat),同時保持650V的額定電壓。此外,由于其極低的少數載流子壽命,不會出現拖尾電流,這使得TRENCHSTOP? 5 WR6 IGBT能夠實現60kHz甚至更高的開關頻率。

當選擇TRENCHSTOP? 5 WR6 IGBT用于不發生硬換流的PFC應用時,不需要擔心逆導型IGBT中的二極管性能問題。有了這項技術,就有可能為您的下一個設計創造經濟而可靠的系統。

參考資料

[1] E. M. Findlay and F. Udrea, “Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor: A Review of Current Technologies,” in IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 66, no. 1, pp. 219-231, Jan. 2019.

[2] I. Sheikhian; N. Kaminski; S. Voss; W. Scholz; E. Herweg; “Optimization of the reverse conducting IGBT for zero‐voltage switching applications such as induction cookers” Volume8, Issue3 Special Issue: Power Semiconductor Devices and Integrated Circuit, May 2014 pp. 176-181

審核編輯 黃宇

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