功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開關，SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘來自英飛凌《雙極性半導體技術信息》。

3.5 功率耗散（損耗）

對晶閘管和二極管而言，耗散（或損耗）分為斷態(tài)、通態(tài)、開通和關斷損耗這幾類。晶閘管還有控制損耗。在規(guī)定冷卻條件下，這些損耗的總和決定了器件的載流能力。

在高達60Hz的電網(wǎng)頻率下工作且具有適度的動態(tài)要求時，可以僅考慮通態(tài)損耗，因為其它損耗的總和相對可以忽略不計。

對于具有高阻斷電壓(>2200V)或者管芯Ф≥80mm的半導體，即使是在電網(wǎng)頻率下工作，在計算時也應考慮關斷損耗。

3.5.1總功率耗散Ptot

Ptot是各項損耗總和的平均值。

3.5.2斷態(tài)損耗PD、PR

PD、PR是斷態(tài)電流和斷態(tài)電壓在正向(PD)斷態(tài)和反向 (PR)斷態(tài)造成的損耗。

3.5.3通態(tài)損耗PT、PF

PT、PF是在僅考慮正向導通狀態(tài)的情況下，轉化為熱的電能。根據(jù)以下公式，用等效直線的值計算通態(tài)損耗 PTAV或PFAV的平均值：

PTAV=VT(TO)?ITAV+rT?I2TRMS=VT(TO)?ITAV+rT? I2TAV?F2（晶閘管）

PFAV=VF(TO)?IFAV+rT?I2FRMS=VF(TO)?IFAV+rT? I2FAV?F2（二極管）

有關波形系數(shù)F，見表1

數(shù)據(jù)手冊中的圖顯示了各種形狀電流的通態(tài)耗散功率平均值與通態(tài)電流之間的關系。

可通過以下關系式，通過更精確的近似計算通態(tài)電壓，而非用vT0、vF0和rT計算通態(tài)損耗。

數(shù)據(jù)手冊中列出了系數(shù)A、B、C和D。

例外：PowerBLOCK模塊型未列出ABCD系數(shù)。

表1.相位角控制對應的波形系數(shù)

3.5.4開關損耗PTT，PFT+PRQ

PTT、PFT+PRQ是在開通（PTT對應晶閘管，PFT對應二極管）和關斷(PRQ)時轉化為熱的部分電能。平均開關損耗隨通態(tài)電流在開通和關斷時的上升率和下降率、以及重復頻率的增加而增加。對于阻斷電壓≤2200V的中等尺寸晶閘管和二極管以及高達60Hz電網(wǎng)頻率的應用，開關損耗與通態(tài)損耗相比幾乎可以忽略不計。

對于阻斷電壓>2200V的半導體或管芯Ф≥80mm的半導體，即使是在電網(wǎng)頻率下工作，在計算時也應考慮關斷損耗（必要時可應要求提供）。

但是二極管的關斷損耗通常仍可忽略不計。

3.5.4.1 開通損耗PTT，PFT

PTT、PFT是開通期間超過通態(tài)損耗PT（晶閘管）或 PF（二極管）的耗散功率。它是由載流子存儲效應和載流區(qū)域的延遲傳輸造成的。為了能夠以最快開通整個晶閘管芯片，許多晶閘管均具有觸發(fā)放大功能。此功能包含一個或幾個放大門極（=輔助晶閘管）。對于具有大截面的晶閘管，放大門極為分支結構（手指結構）。此結構可使更大面接的截面在觸發(fā)時導通，從而減少開通損耗。開通和通態(tài)損耗之和 PTT, PFT+PT, PF對于功耗計算非常重要，可通過在開通期間和開通后，用通態(tài)電流和通態(tài)電壓積分得出。

實際上，開通損耗通常忽略不計。

3.5.4.2 關斷損耗PRQ

關斷損耗是由載流子存儲效應造成的。它取決于反向延遲電流，反向斷態(tài)電壓幅值和上升率，因此可能受緩沖電路影響（見圖23）。

時間tint用于對關斷損耗進行積分計算。

關斷損耗的近似計算方法如下：

Erq=關斷損耗能量

f=頻率

Qr=最大恢復電荷

VR=（反向電壓）換向后的激勵電壓

3.5.5門極功耗PG

PG是由于門極電流在門極和陰極之間流動而轉化為熱量的電能。它分為門極峰值功耗PGM（門極電流和門極電壓峰值的乘積）和門極平均功耗PGAV（門極功耗的周期平均值）

文章來源：英飛凌工業(yè)半導體

審核編輯 黃宇