【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：低RDS(ON)的解決方案
針對(duì)MOSFET的最大問題，我們正采取以下對(duì)策：“如何有效利用元件面積以有效降低導(dǎo)通電阻”
（1）高電壓：下一頁將介紹通過先進(jìn)的超結(jié)工藝降低Rdrift電阻。
（2）低電壓：通過對(duì)溝槽結(jié)構(gòu)的精細(xì)圖形化可最大限度降低Rch電阻，采用薄晶片降低Rsub電阻。
圖3-8影響MOSFET導(dǎo)通電阻的因素
審核編輯：湯梓紅
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