金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是目前最受關(guān)注的晶體管。
MOSFET有兩種類型:N溝道(參見(jiàn)下圖3-4(a)N溝道)和P溝道(參見(jiàn)下圖3-4(b)P溝道)。
N溝道廣泛用于AC/DC電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、逆變器設(shè)備等,而P溝道則用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、高邊開(kāi)關(guān)等。
雙極晶體管和MOSFET之間的差異如表3-1所示。
圖3-4(a)N溝道MOSFET的符號(hào)和操作
圖3-4(b)P溝道MOSFET的符號(hào)和操作
表3-1 BJT和MOSFET的比較
文章來(lái)源:東芝半導(dǎo)體
審核編輯:湯梓紅
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