IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個pn結，在正向導通時，背面pn結構向N-區(qū)注入空穴，使得N-區(qū)的電阻率急劇減?。措妼д{制效應）。

因此理解pn結對我們了解IGBT至關重要！

如下對pn結的IV特性展開全面闡述。

pn結最重要的特性為 整流特性 ，即正向導電，反向阻斷。

如下僅考慮p+n單向突變結。

pn結I-V特性公式如下：

Js定義如下：

其中ND/NA分別為施主/受主濃度；Dp/Dn分別為空穴/電子擴散系數(shù)，τp/τn分別為空穴/電子壽命。

當電壓為正時，pn結I-V特性簡化如下：

當電壓為負時，pn結的I-V特性簡化如下：

當電壓為正時，電壓每增大60mV，電流增大10倍。

以上僅考慮擴散流（diffusion），

當考慮 產(chǎn)生（generation）-復合（recombination） 后，pn結I-V特性公式如下：

當電壓為正時，電流由擴散和復合組成，pn結I-V特性簡化如下：

當電壓為負時，電流由擴散和產(chǎn)生組成，pn結I-V特性簡化如下：

需注意的是，高溫下，擴散流（公式第1項）占主導，主要表現(xiàn)為反向漏電流JR飽和。

還有一個最最重要的公式為pn結的擊穿特性，公式如下：

常溫下，硅臨界擊穿場強見下圖：

小江對典型摻雜進行了提取，結果如下。