P型硅和N型硅，沒接觸就不會出現結，相互接觸就形成一個結，被稱為PN結

P型硅中有大量的多子空穴和少量的電子；N型硅中有大量的多子電子和少量的空穴；

中間的結對載流子的流動不構成障礙，所以有一些空穴就從P型硅擴散到N型硅，同樣，一些電子從N型硅擴散到P型硅；

這時候，兩邊的少子濃度都要高于它單獨摻雜時的情況，即：擴散通過結的那些載流子（相對另一邊為少子）被稱為“過量少子濃度“

在載流子擴散通過結的時候，它也建立了一個電場：N型硅過量空穴提供正電，P型硅過量電子提供負電，所以結兩側形成了電壓，建立了電場；

（備注：N型半導體典型摻雜：磷、砷、銻；P型半導體典型摻雜：硼）

載流子通過結的同時，摻雜的電離雜質原子是不能移動的，P型區的一側帶負電的電離雜質，N型區帶正電的電離雜質；

存在電場，則空穴被吸引到電位為負的P型區，電子則被吸引到電位為正的N型區，即：載流子的漂移趨于抵消擴撒，從P型區擴撒到N型區的空穴又漂移回去，N型區擴散到P型區的電子也漂移回去，即：擴散電流與漂移電流大小相等方向相反時建立平衡，結電壓平衡，兩側過量少子濃度也達到平衡；

PN結特性：載流子擴散通過結，在耗盡區兩側形成過量少子濃度；電離雜質原子的分離形成耗盡區電場，阻止多子穿越耗盡區，最終兩段達到平衡狀態~

（備注：耗盡區厚度取決于結兩側摻雜水平，輕摻雜需要耗盡較寬的硅層，重摻雜，需要很窄的耗盡層）

審核編輯：黃飛