貫穿設計到量產的質量和可靠性測試驗證，是安森美零偏移零失效（ZeroExcursion，ZeroDefect）目標下的重要手段。相對于硅基器件，目前市場上沒有完全成熟的SiC可靠性評估方法，而它更為嚴苛的應用環境下要求必須結合具體應用建立失效模型。SiC通常需要解決以下難題：襯底和外延的缺陷水平、柵極氧化物可靠性測試、體二極管退化、高壓阻斷(HTRB) 期間的可靠性、與應用相關的性能(雪崩強固性、邊緣端接、短路、宇宙射線耐受性、高dv/dt 耐受性設計、浪涌電流)。以柵氧可靠性為例，安森美的可靠性驗證方法主要步驟為控制- 改進 -測試和篩選 -表征 -驗證和提取模型。

SiC助力OBC實現更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800V高壓系統發展，SiC在高壓下的低阻抗、高速等優勢將更能體現。安森美為汽車OBC提供優秀的車規級IGBT和SiCMOSFET解決方案，采用先進的封裝技術，具有小占位、超低導通電阻的優點，滿足OBC對更高壓、更高功率、更高能效、更好散熱性和更高可靠性的需求。

安森美提供各種基于集成磁耦合無芯變壓器的隔離式柵極驅動器，適合開關速度非常高并存在系統尺寸限制的應用，并且能夠可靠地控制SiMOSFET。目前，行業采用的隔離技術有傳統光耦、磁耦和容耦三種，安森美在磁耦和容耦技術上都有相應的產品布局，具有很低的傳播延遲與極短的死區時間。除了大功率器件外，安森美還提供其他外圍的輔助器件，一起形成完整的解決方案。

安森美新款1200VFS7IGBT具有開關損耗和導通損耗低的特點，可在高達175℃的結溫（TJ）下工作。FS7器件的低開關損耗可實現更高的開關頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系統成本。此外，安森美最新的T10 硅 MOSFET相對于T6/T8具有更小的尺寸，且具有更高的性能，基于屏蔽柵極溝槽技術，具有更低的導通電阻(RDSon)、更低的柵極電荷和固有的類似緩沖器的功能，可減少過沖并最大限度地降低振鈴。

汽車電子電氣架構由分布式向域控制式轉變，設計中需要考慮使用eFuse和SmartFET實現診斷和保護功能。eFuse將保護和開關功能集成到單個小尺寸封裝中，以提供更先進的保護功能，包括故障情況下更快速、更準確的響應。安森美的高邊SmartFET和低邊SmartFET能執行多種功能，包括用作智能保險絲，并在區域控制器中保護電源，能實現更簡單及高性價比的結構，并可根據不同的需求而擴展。