半導體生產流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成。而測試環節主要集中在CP（chip probing）、FT（Final Test）和WAT（Wafer Acceptance Test）三個環節。

CP測試，英文全稱Circuit Probing、Chip Probing，也稱為晶圓測試，測試對象是針對整片wafer中的每一個Die，目的是確保整片wafer中的每一個Die都能基本滿足器件的特征或者設計規格書，通常包括電壓、電流、時序和功能的驗證，如vt（閾值電壓），Rdson（導通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，可以用來檢測fab廠制造的工藝水平。可以更直接的知道Wafer的良率。

CP的難點是如何在最短的時間內挑出壞的die，修補die。

常用到的設備有測試機（Tester) 、探針臺(Prober) 以及測試機與探針卡之間的接口(Mechanical lnterface)。一般測試機臺的電壓和功率不會很高。

FT測試，英文全稱Final Test，是芯片出廠前的最后一道攔截。測試對象是針對封裝好的chip，CP測試之后會進行封裝，封裝之后進行FT測試，也叫“終測”。可以用來檢測封裝廠的工藝水平。FT是把壞的chip挑出來；檢驗封裝的良率。測試完這道工序就直接賣去做應用了。

FT測試一般分為兩個步驟:1)自動測試設備 (ATE) 2) 系統級別測試SLT) --2是必須項，1一般小公司可能用不起，ATE試一般只需要幾秒鐘;SLT一般需要幾個小時，邏輯比較簡單。

FT的難點是如何在最短的時間內保證出廠的Unit能夠完成全部的功能。FT需要tester (ATE) + handler + socket。

CP對整片Wafer的每個Die來測試，而FT則對封裝好的Chip來測試。CP Pass 才會去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。

WAT是Wafer Acceptance Test，對專門的測試圖形（test key）的測試，通過電參數來監控各步工藝是否正常和穩定；WAT（Wafer Acceptance Test）測試，也叫PCM（Process Control Monitoring），對Wafer 劃片槽（Scribe Line）測試鍵（Test Key）的測試，通過電性參數來監控各步工藝是否正常和穩定。

WAT測試有問題，超過SPEC，一般對應Fab各個Module制程工藝或者機臺Shift，例如Litho OVL異常，ETCH CD 偏小，PVD TK偏大等等。WAT有嚴重問題的Wafer會直接報廢。

對于測試項來說，有些測試項在CP時會進行測試，在FT時就不用再次進行測試了，節省了FT測試時間；但是有些測試項必須在FT時才進行測試（不同的設計公司會有不同的要求）。

一般來說，CP測試的項目比較多，比較全；FT測的項目比較少，但都是關鍵項目，條件嚴格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。

在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問題。FT相對來說簡單一點。還有一點，memory的CP測試會更難，因為要做redundancy analysis，寫程序很麻煩。

CP在整個制程中算是半成品測試，目的有2個，一個是監控前道工藝良率，另一個是降低后道成本（避免封裝過多的壞芯片），其能夠測試的項比FT要少些。

最簡單的一個例子，碰到大電流測試項CP肯定是不測的（探針容許的電流有限），這項只能在封裝后的FT測。不過許多項CP測試后FT的時候就可以免掉不測了（可以提高效率），所以有時會覺得FT的測試項比CP少很多。

應該說WAT的測試項和CP/FT是不同的。

CP不是制造（FAB）測的！而CP的項目是從屬于FT的（也就是說CP測的只會比FT少），項目完全一樣的；不同的是卡的SPEC而已；

因為封裝都會導致參數漂移，所以CP測試SPEC收的要比FT更緊以確保最終成品FT良率。還有相當多的Design House把wafer做成幾個系列通用的die，在CP是通過trimming來定向確定做成其系列中的某一款，這是解決相似電路節省光刻版的最佳方案；所以除非你公司的wafer封裝成device是唯一的，且WAT良率在99%左右，才會盲封的。

CP用prober，probe card。FT是handler，socket CP比較常見的是room temperature=25度，FT可能一般就是75或90度 CP沒有QA buy-off（質量認證、驗收）。

FT測試通常是測試項最多的測試了，有些客戶還要求3溫測試，成本也最大。至于測試項。如果測試時間很長，CP和FT又都可以測，像trim項，加在probe能顯著降低時間成本，當然也要看客戶要求。?關于大電流測試，FT多些，但是我在probe也測過十幾安培的功率mosfet，一個PAD上十多個needle。

有些PAD會封裝到device內部，在FT是看不到的，所以有些測試項只能在CP直接測，像功率管的GATE端漏電流測試Igss CP測試主要是挑壞die，修補die，然后保證die在基本的spec內，function well。FT測試主要是package完成后，保證die在嚴格的spec內能夠function。

關于3溫測試：這是一種特殊的測試方法，它要求在三個不同的溫度下對產品進行測試，通常是常溫（25℃左右）、高溫（如60℃或70℃）和低溫（如-20℃或-40℃）。這種測試的目的是為了檢查產品在不同溫度下的性能和可靠性，以確保產品能在不同環境下正常工作。

審核編輯：劉清