近日，普冉半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的 P24C系列高可靠 EEPROM 產(chǎn)品，應(yīng)下游客戶及市場(chǎng)需求，公司該新款系列產(chǎn)品可達(dá)到 1000萬次擦寫壽命，是公司為電表市場(chǎng)開發(fā)的超群產(chǎn)品，達(dá)到目前行業(yè)領(lǐng)先的擦寫次數(shù)。

P24C系列產(chǎn)品基于 95nm 及以下工藝，具備低功耗、超寬壓覆蓋、高可靠等特性，滿足擦寫壽命 1000萬次，數(shù)據(jù)保存 100年的高可靠性要求，產(chǎn)品性能達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平，可用于電表及其他高可靠性產(chǎn)品領(lǐng)域。

P24C系列產(chǎn)品的特點(diǎn)：

存儲(chǔ)器容量：512Kbit~1Mbit

工作電壓范圍：1.7V~5.5V

工作溫度范圍：-40℃~125℃

擦寫功能帶糾錯(cuò)碼（ECC）

擦寫壽命：1000萬次

數(shù)據(jù)保存年限：100年

封裝支持：PDIP8, SOP8, TSSOP8, MSOP8, UDFN8, SOT23-5, TSOT23-5

EEPROM 是一種通用型非易失性存儲(chǔ)芯片，由于其低功耗、高靈活性、強(qiáng)可靠性等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)小規(guī)模、經(jīng)常需要修改的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，應(yīng)用于智能手機(jī)、服務(wù)器、PC、BLE / WIFI 模塊、汽車電子、面板、家電、工控等下游領(lǐng)域。

普冉半導(dǎo)體在 EEPROM 領(lǐng)域，已深耕近十年。2014年，公司前身無錫普雅半導(dǎo)體完成首顆 256Kbit、512Kbit EEPROM 的研發(fā)和流片。2021年，公司車規(guī)級(jí) EEPROM 獲得 AEC-Q100 認(rèn)證，進(jìn)入海內(nèi)外知名車廠。截至目前，公司 EEPROM 產(chǎn)品已經(jīng)做到 2Kbit-4Mbit 的全容量覆蓋，操作電壓覆蓋 1.2V-5.5V，同時(shí)支持 SOP / TSSOP / DFN 等傳統(tǒng)封裝及 WLCSP 等芯片級(jí)封裝形式，能夠滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)θ萘亢头庋b的需求。

公司在 EEPROM 領(lǐng)域已經(jīng)形成比較完整的系列產(chǎn)品布局，并持續(xù)在工藝制程和存儲(chǔ)單元等維度實(shí)現(xiàn)技術(shù)迭代，提升產(chǎn)品的性價(jià)比和市場(chǎng)競爭力。

工藝制程方面，公司持續(xù)針對(duì)存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)、擦寫電壓進(jìn)行改造和優(yōu)化，在不犧牲可靠性指標(biāo)的前提下，不斷縮小存儲(chǔ)單元的尺寸，單顆芯片具備更高的性價(jià)比。公司已從第一代 130nm 產(chǎn)品迭代到新一代的 95nm 及以下產(chǎn)品，并于 2020年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

產(chǎn)品功能方面，普冉半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了分區(qū)域保護(hù)、地址編程等功能，可對(duì)芯片中的存儲(chǔ)的參數(shù)數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)，避免數(shù)據(jù)丟失和篡改，數(shù)據(jù)保持時(shí)間超過 100年。

公司擁有超大容量的EEPROM系列產(chǎn)品，支持SPI/I2C接口和最大 4Mbit 容量，其中 2Mbit 產(chǎn)品批量用于高速寬帶通信和數(shù)據(jù)中心。同時(shí)，公司推出的超低電壓 1.2V 系列 EEPROM 已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨，涵蓋 32Kbit 至 512Kbit，是目前行業(yè)內(nèi)工藝節(jié)點(diǎn)領(lǐng)先和容量覆蓋面較為完備的超低電壓產(chǎn)品線。

相比上一代 500萬次擦寫的產(chǎn)品，普冉半導(dǎo)體本次推出的新產(chǎn)品可以更靈活的更新修改，同時(shí)具備更長的使用壽命，也一定程度體現(xiàn)了公司在工藝和設(shè)計(jì)水平上的持續(xù)突破。

公司未來將在非易失存儲(chǔ)器領(lǐng)域以新工藝節(jié)點(diǎn)、寬電壓覆蓋、高速、高可靠等性能為發(fā)展方向，以高可靠工控和車規(guī)為持續(xù)的重點(diǎn)拓展方向，進(jìn)一步擴(kuò)展系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品線，不斷獲得突破和領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

文章來源 | 普冉半導(dǎo)體

審核編輯：湯梓紅