今天想來(lái)簡(jiǎn)單聊一聊DPT技術(shù)-double pattern technology,也就是雙層掩模版技術(shù),在目前先進(jìn)工藝下,這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用的很普遍了。
我們知道,在光刻的時(shí)候,需要制造出芯片各個(gè)層的掩模版mask。就像刻印章一樣,掩模版上留下金屬走線的路徑,把掩模版蓋在wafer上后,光照下來(lái)就只能照在wafer沒(méi)有被蓋住的空的地方,mask蓋住的地方?jīng)]有收到照射。用這種方法就相應(yīng)能刻蝕出各個(gè)層的金屬走線了。
這只是我一個(gè)大致的理解,具體的工藝流程肯定還要復(fù)雜的多,這里只是想快速回顧一下mask的作用。
那么,什么是DPT呢?顧名思義,它就是說(shuō)同一層金屬會(huì)設(shè)置兩個(gè)掩模版,mask1和mask2,在光刻的時(shí)候,兩個(gè)掩模版輪番上陣,每一個(gè)掩模版只有大概一半的金屬走線信息。
為什么要這樣做呢?因?yàn)樵谙冗M(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下,光刻的分辨率也是有一定極限的,比如互相平行的兩段金屬線,他們之間的間距必須大于10納米才可以被刻出來(lái),但是我們?cè)谄渌涛g步驟時(shí)可以支持到比如3納米,如果全部都按照10納米的間距來(lái)制造,就會(huì)有一定的面積被浪費(fèi)掉。
因此人們想了個(gè)辦法,我們可以同時(shí)制作兩個(gè)mask,兩個(gè)mask互相偏移5nm,而每個(gè)mask還是按10nm的規(guī)則來(lái)做。
這樣的話,我們就可以在第0nm、第10nm、第20nm的位置用mask1來(lái)刻金屬線,而在第5nm、第15nm、第25nm的位置用mask2來(lái)刻金屬線。
這樣子,最終的結(jié)果就是我們可以得到間距最小為5nm的金屬層,比只用一個(gè)mask足足省下了一半的面積,這就能省下更多成本。
但是,我們不會(huì)對(duì)每一層都使用DPT技術(shù),一般只會(huì)針對(duì)M1或M2來(lái)用。首先出于經(jīng)濟(jì)的考量,多制作一層mask也是有成本的,這種技術(shù)一般都要用在刀刃上。越底層的金屬width、pitch越小,單就繞線資源來(lái)說(shuō)是比頂層豐富的。
其次,對(duì)于高層金屬可能也不適合用DPT,應(yīng)為它本身線寬可能會(huì)很大,pitch卻并沒(méi)有成比例變大,還要考慮一些線會(huì)上NDR,在線很寬,pitch相對(duì)窄的情況下就沒(méi)有條件使用DPT。
對(duì)于我們后端來(lái)說(shuō),應(yīng)用DPT時(shí),最重要的是要注意net和via的mask屬性。
首先要注意使用DPT的層確實(shí)上了mask,一般就看一段shape是不是mask1或者mask2,如果沒(méi)有mask,可能在寫出GDS的時(shí)候就不會(huì)寫這一段shape。
其次要注意最相鄰的兩段shape不能是同一種mask。不過(guò)一般來(lái)說(shuō),只要tool設(shè)置正確,這些mask的設(shè)置tool都會(huì)幫我們自動(dòng)完成。只是有的時(shí)候PV會(huì)出問(wèn)題,回過(guò)頭可能要看看是不是DPT沒(méi)有上好。
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