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理解N型和P型半導體的區別

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2023-12-10 11:30 ? 次閱讀
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半導體的深入理解無疑會對我們的生活產生深遠的影響,尤其是面對任何涉及計算機或無線電波的電子設備。這其中的核心往往是硅,因此眾多科技巨頭會聚集在以硅為名的硅谷。為什么硅會被廣泛應用在半導體中?答案源于它的豐富儲量和理想的電子結構使其能輕松形成晶體,為電子設備的構建奠定基礎。

然而,通過對硅進行摻雜,我們可以制造出兩種不同類型的半導體—— N 型和 P 型半導體。

理解 P 型和 N 型半導體

半導體如硅的摻雜是一種特意在純半導體中引入雜質的過程,其目的是調節半導體的電性、光性和結構性質。當半導體經過摻雜,就從本征半導體轉變為了外延半導體。

在硅的摻雜過程中,有兩類雜質:一種是 N 類,另一種是 P 類。在 N 型摻雜中,硅中添加微量的砷或磷,這兩種元素都擁有五個外層電子,進入硅的晶體結構后,由于第五個電子沒有形成鍵,多余的第五個電子會變得可以自由移動,滿足電流通過硅的需求。在 P 型摻雜中,通過使用硼或鎵作為摻雜劑,它們每個都只有三個外層電子,混入硅晶格后,就形成了硅原子的價帶上的“空洞”。這就意味著,電子在價帶上變得可移動,又由于摻雜劑固定在晶格中,當電子移動時,同時也有空洞以相反的方向移動。正是此種特性,我們把這類半導體稱為“ P 類”。

區別 N 型和 P 型半導體

最關鍵的區別在于,N 型硅中,電子攜帶負電荷,因此稱為 N 型,而在 P 類硅中,它是通過電子的缺失來營造出正電荷效果,因此稱為 P 型。P 型和 N 型半導體都屬于外延半導體。

圖片

N 型和 P 型摻雜之間的核心差異在于電子通過半導體沉積層的方向。雖然 N 型和 P 型硅都是良好的電導體,但其實其導電性并不優秀。

在 N 型摻雜中,少量的砷或磷被加入到硅中。這兩種元素在外軌道的電子數都是5,所以當它們進入硅的晶體結構時不會顯得突兀。由于第五個電子沒有形成鍵,所以便于移動,這樣就使電流可以通過硅流動。

在 P 型摻雜中,硼或鎵被用作摻雜劑。這些元素的外軌道中都有三個電子。當它們與硅晶格混合時,它們在硅原子的價帶中形成“孔”。這意味著價帶中的電子變得可移動,而孔則與電子的運動方向相反。由于摻雜劑固定在晶格中,只有正電荷可以移動。正因為如此,這些半導體被稱為“P型”(或“P向導性”或“P摻雜”)。

使用 N 型和 P 型硅

利用二極管,我們可以看到當 N 型和 P 型硅放在一起時,結合處會表現出有趣的行為。二極管允許電流只能在一個方向上流動,就像足球場的單向旋轉門一樣。

總的來說,物質世界中的一切皆源于 P-N 結的性質。N 型硅中有額外的電子,而 P 類一側的原子需要電子,因此電子通常會遷移過去。這些電子與空穴相結合,互相抵消,形成一個中性的無電荷流動的“耗盡區”。

然而,耗盡區兩側的原子都處于亢奮狀態,希望獲得電子/擺脫空洞以變得中性。但由于它們位于無電荷流動的耗盡區,它們無法實現這一目標,從而導致了電荷的堆積,形成了阻擋電流通過的屏障。

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