2024年半導(dǎo)體投資年會暨IC風(fēng)云榜頒獎典禮于12月16日在北京嘉里酒店舉行。作為本次盛事的一部分，包括30項(xiàng)獎項(xiàng)和60個榜單在內(nèi)的一系列重要信息在現(xiàn)場公布。派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司榮膺“年度車規(guī)芯片市場突破獎”。

此獎旨在表彰2023年度實(shí)現(xiàn)單款車規(guī)芯片產(chǎn)品銷售額或銷量顯著增長、在細(xì)分領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先位置并廣泛用于各類市場的優(yōu)秀企業(yè)。

派恩杰半導(dǎo)體專注第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域，產(chǎn)品涵蓋碳化硅MOSFET、碳化硅SBD以及氮化鎵HEMT等多個方向。始創(chuàng)于2018年，公司擁有國內(nèi)最為全面的碳化硅功率器件產(chǎn)品。其碳化硅MOSFET與碳化硅SBD產(chǎn)品涵蓋各電壓級別和承載力，均已通過AEC-Q101車規(guī)級測試，適用于多種應(yīng)用場景。

派恩杰半導(dǎo)體首席科學(xué)家黃興博士之學(xué)術(shù)恩師分別為IGBT發(fā)明人Baliga教授和ETO晶閘管發(fā)明人Huang教授。自2009年起，專攻碳化硅和氮化鎵功率器件的設(shè)計(jì)和研發(fā)。

作為進(jìn)軍電動汽車市場的拳頭產(chǎn)品，派恩杰半導(dǎo)體推出的P3M06060K4車規(guī)級650V 60mOhm TO247-4L碳化硅場效應(yīng)管，兼具高耐壓、高耐熱、低消耗等優(yōu)點(diǎn)。其中，P3M06060K4采用的關(guān)鍵元件為4.8um，性能指標(biāo)HDFM全球領(lǐng)先，適用于車載充電器與通信電源等多個領(lǐng)域。

得益于優(yōu)異的產(chǎn)品性能與穩(wěn)定性，P3M06060K4在國內(nèi)市場已取得顯著地位，同時也在國際市場贏得了一席之地。

IC風(fēng)云榜通過市場、科研、資金、品牌等方面進(jìn)行評估，選出半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)最具經(jīng)營智慧的風(fēng)云企業(yè)。評選過程經(jīng)過半導(dǎo)體投資聯(lián)盟逾百家成員單位、超過500名CEO參與評分，以肯定和表彰那些在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品制造、融資管理、產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)以及財(cái)務(wù)表現(xiàn)方面有卓越成就的半導(dǎo)體企業(yè)，從而樹立行業(yè)標(biāo)桿。