創(chuàng)建定義的位模式：數(shù)字模式生成器

數(shù)字模式生成器： 在構(gòu)建和測(cè)試數(shù)字電路領(lǐng)域，經(jīng)常需要精確定義的位模式。所描述的發(fā)生器采用EPROM來(lái)存儲(chǔ)與所需模式相對(duì)應(yīng)的位信息。按下開(kāi)關(guān) S1 后，會(huì)生成一次特定的圖案，最多可以同時(shí)生成七個(gè)不同的圖案。 EPROM 的第八個(gè)數(shù)據(jù)輸出用于表示模式的結(jié)束。

地址計(jì)數(shù)器復(fù)位和時(shí)鐘頻率控制

S1 激活后，門 ICid 協(xié)調(diào)地址計(jì)數(shù)器 IC2 的復(fù)位。門 1C1c 連接到地址計(jì)數(shù)器的輸入，用作由兩個(gè) NAND 門控制的啟停振蕩器。這些門確保振蕩器保持不活動(dòng)狀態(tài)，直到開(kāi)關(guān)被釋放，從而允許脈沖被定向到地址計(jì)數(shù)器。通過(guò)修改C3的值可以調(diào)整時(shí)鐘的頻率范圍以滿足特定需要。利用提供的值，P1 可以將頻率設(shè)置在 15 Hz 到 150 Hz 之間。

位模式生成和電路特性

對(duì)于生成的位模式，數(shù)據(jù)線 D7 必須為邏輯高。在該模式結(jié)束時(shí)，該線轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娖?，從而停止時(shí)鐘。在演示電路中，最大位模式長(zhǎng)度為8191個(gè)時(shí)鐘脈沖（8×1024-1停止脈沖）。如果link_JP1位于B，則可以施加外部停止脈沖。該電路的工作電流消耗約為 8 mA。

在電源周期之外保存數(shù)據(jù)：了解 EPROM

EPROM是可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（有時(shí)也稱為EROM）的縮寫(xiě)，是一種即使在電源關(guān)閉時(shí)也能保留其存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM）芯片。能夠在電源循環(huán)后檢索信息的存儲(chǔ)器被稱為非易失性存儲(chǔ)器。它包括浮柵晶體管陣列，由電子設(shè)備使用比數(shù)字電路中典型電壓更高的電壓?jiǎn)为?dú)編程。一旦編程，EPROM 就可以通過(guò)暴露在強(qiáng)大的紫外線光源（例如汞蒸氣燈）下進(jìn)行擦除。

EPROM 的顯著特征：識(shí)別透明窗口

EPROM 具有獨(dú)特的特征，特別是位于封裝頂部的透明熔融石英（或在后來(lái)的型號(hào)中為樹(shù)脂）窗口。通過(guò)這個(gè)窗口，硅芯片變得可見(jiàn)，從而可以在擦除過(guò)程中暴露在紫外線下。這種透明性是 EPROM 的標(biāo)志特征。