在所有功率電路中,硅碳(SiC)和氮化鎵(GaN)開(kāi)關(guān)器件是主要使用的組件。盡管它們?cè)诓僮魉俣取⑻幚淼母唠妷骸?a href="http://m.xsypw.cn/tags/電流/" target="_blank">電流和低功耗方面具有優(yōu)越的內(nèi)在特性,但設(shè)計(jì)師將所有精力都放在了這些器件上,往往忽略了對(duì)相關(guān)驅(qū)動(dòng)器的研究和開(kāi)發(fā)。
一個(gè)良好的功率電路不僅由靜態(tài)器件如SiC和GaN MOSFETs組成,還包含了門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。這是一個(gè)獨(dú)立的元素,位于電子開(kāi)關(guān)之前,確保以最佳方式為其提供驅(qū)動(dòng)能量。實(shí)際上,不能僅僅將方波或矩形波直接發(fā)送到器件的門(mén)極端子。另一方面,必須適當(dāng)時(shí)序地發(fā)送正確的電位,以確保振蕩適用于各種組件,減少寄生元件,盡可能地取消功率損耗。因此,設(shè)計(jì)師在進(jìn)行電路項(xiàng)目設(shè)計(jì)時(shí),必須從最終負(fù)載的角度出發(fā),分析并創(chuàng)造出一款能夠以最優(yōu)化的方式驅(qū)動(dòng)功率組件的卓越門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。

一個(gè)非最優(yōu)的驅(qū)動(dòng)器不僅會(huì)導(dǎo)致重大的功率損失,而且不完美的同步往往會(huì)導(dǎo)致電路的異常運(yùn)作,可能會(huì)破壞MOSFETs。它們是電壓控制的設(shè)備,門(mén)極是其控制端子,與設(shè)備電氣隔離。必須通過(guò)專門(mén)的驅(qū)動(dòng)器在此端子上施加電壓,使MOSFET工作。


MOSFET的門(mén)極實(shí)際上是一個(gè)非線性電容器。在門(mén)電容器上施加充電可以將設(shè)備置于“開(kāi)”狀態(tài),允許電流在漏極和源極端子之間流動(dòng)。相反,該電容器的放電將其置于“關(guān)”狀態(tài)。為了使MOSFET工作,在門(mén)極和源極之間必須施加高于閾值電壓(VTH),這是電容器充電并且MOSFET開(kāi)始導(dǎo)電的最小電壓。通常,數(shù)字系統(tǒng)(微控制器,MCU)不足以激活該設(shè)備,因此總是需要一個(gè)接口,即驅(qū)動(dòng)器,來(lái)在控制邏輯和功率開(kāi)關(guān)之間提供界面。

門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的主要功能之一是電平轉(zhuǎn)換器。但是,門(mén)電容無(wú)法瞬間充電;需要一段時(shí)間才能完全充電。在這個(gè)時(shí)間內(nèi),盡管非常短暫,設(shè)備在高電流和電壓下工作,以熱量形式散發(fā)出高功率。不幸的是,這種能量是未使用的,構(gòu)成了功率損失。因此,為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)時(shí)間并最小化這種時(shí)間損失,需要提供高電流暫態(tài),以快速充電門(mén)電容。

市場(chǎng)提供了特殊電路,以最小化這一過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的門(mén)電流,功率損失會(huì)因?yàn)楣β蕰簯B(tài)峰值的縮短而減少。總的來(lái)說(shuō),門(mén)極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù):
1.將電壓級(jí)別轉(zhuǎn)換,驅(qū)動(dòng)門(mén)電容以滿足電路的預(yù)期
2.最小化系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)時(shí)間
3.提供高電流,以快速充放電門(mén)電容
許多設(shè)計(jì)師犯了一個(gè)重大錯(cuò)誤,通過(guò)MCU上的邏輯門(mén)直接驅(qū)動(dòng)MOSFET。一方面,它可以提供正確的電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)設(shè)備,但MCU的輸出端口不允許高電流通過(guò),僅限于提供幾十毫安的電流。這導(dǎo)致門(mén)電容器充電非常慢,在某些情況下這是不可接受的。在許多情況下,直接從MCU驅(qū)動(dòng)功率MOSFET可能會(huì)因過(guò)度電流抽取而過(guò)熱和損壞控制器。相反,使用適當(dāng)?shù)拈T(mén)極驅(qū)動(dòng)器,上升和下降時(shí)間被最小化,從而實(shí)現(xiàn)了效率更高、功率損耗極低的系統(tǒng)。
結(jié)論
用于SiC器件的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器比傳統(tǒng)的復(fù)雜得多,因?yàn)樗鼈冞€具有監(jiān)測(cè)和保護(hù)功能。顯然,在選擇門(mén)極驅(qū)動(dòng)器時(shí)還有許多其他考慮因素。例如,最好檢查驅(qū)動(dòng)器的絕緣性、定時(shí)參數(shù)和抗噪聲性能等。最近,許多公司還采取了對(duì)新可配置驅(qū)動(dòng)器的數(shù)字化方法。這樣設(shè)計(jì)師就可以編程操作模式以控制電壓水平和相應(yīng)的工作時(shí)間。實(shí)踐中,這些是能夠控制任何電氣行為而無(wú)需物理修改電路的可編程MCU。門(mén)極驅(qū)動(dòng)器是也是科技的瑰寶,設(shè)計(jì)師應(yīng)該投入所有必要的時(shí)間和資金進(jìn)行研發(fā)。
-
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
3110瀏覽量
64179 -
開(kāi)關(guān)器件
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
192瀏覽量
17093 -
門(mén)極驅(qū)動(dòng)器
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
26瀏覽量
9587
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
Power Integrations推出高可靠性汽車級(jí)SCALE-iDriver門(mén)極驅(qū)動(dòng)器
欠壓保護(hù)的重要性及注意事項(xiàng)
通過(guò)隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)器抑制dVdt噪聲,消除混合動(dòng)力系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器的
通過(guò)隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)器抑制 dVdt 噪聲,消除混合動(dòng)力系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器的
LED燈中驅(qū)動(dòng)器的重要性

Power Integrations推出汽車級(jí)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,采用FluxLink通信技術(shù)
IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)器使用SCALE-2芯片組設(shè)計(jì)而成
Power Integrations 的SCALE-2即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)介
Power Integrations為門(mén)極驅(qū)動(dòng)器IC技術(shù)帶來(lái)了革命性變化
為何使用SCALE門(mén)極驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET?
門(mén)極驅(qū)動(dòng)器方案的應(yīng)用分析

CMTI參數(shù)對(duì)于隔離驅(qū)動(dòng)器選型的重要性

評(píng)論