一，去耦電路簡(jiǎn)介

供電電源與MCU之間的連接使用了各類(lèi)電容以及磁珠電感等濾波器件，形成的去耦電路，有三點(diǎn)主要功能，一是抑制MCU內(nèi)部產(chǎn)生的EMI輻射或者疏導(dǎo)外部干擾噪聲進(jìn)入MCU；二是提供MCU操作和維持電壓的瞬態(tài)電流；三是作為信號(hào)回流的通道提高信號(hào)完整性。 當(dāng)MCU系統(tǒng)級(jí)板上的去耦電路不起作用時(shí)會(huì)出現(xiàn)一下問(wèn)題： 1，干擾噪聲從外部導(dǎo)入，MCU收到其他的IC的噪聲干擾，操作故障；2，存在噪聲泄露，MCU中的EMI輻射超標(biāo)；3，電源電壓波動(dòng)干擾MCU操作，降低信號(hào)完整性，信號(hào)線(xiàn)上的噪聲疊加；4，信號(hào)線(xiàn)上回流路徑較長(zhǎng)，信號(hào)完整性降低。

二，電源噪聲的產(chǎn)生原理

數(shù)字IC如MCU大多數(shù)使用電路CMOS工藝，通過(guò)切換至電源VDD或者接地GND可以將信號(hào)設(shè)置為高“1”或低“0”。如圖，CMOS反相器電路簡(jiǎn)化模型 ，以單個(gè)CMOS的反相器為例，當(dāng)Vin切換低“0”，上管PMOS導(dǎo)通，柵電容充電，Vout輸出高“1”；當(dāng)Vin切換高“1”，下管NMOS導(dǎo)通，柵電容放電，Vout輸出低“0”。

當(dāng)時(shí)CMOS反相器高低切換電平時(shí)，寄生電流會(huì)流經(jīng)電源VDD和接地GND，如圖，CMOS 反相器寄生電流，MCU內(nèi)部的CMOS反相器較多時(shí)，寄生電流跳動(dòng)的非常激烈，很多頻率器件如電感，會(huì)向外輻射能量造成噪聲故障，或者引起外部電源的波動(dòng)影響其他的IC。

通常為了控制流經(jīng)MCU電源處的電流，需要在MCU的電源引腳和 GND引腳之間安裝去耦電容，為了形成有效去耦電路，需要主要一下加點(diǎn)：1，使用較小的ESR電容，形容可以在高頻范圍內(nèi)運(yùn)行的旁路； 2，嚴(yán)格限制寄生電流流過(guò)的范圍，將電容安裝在MCU附近；3，保持layout的寄生電感較小，尤其IC和電容之間