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碳化硅肖特基二極管的優勢和應用領域

國晶微第三代半導體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導體碳化 ? 2023-12-29 09:54 ? 次閱讀

碳化硅肖特基二極管:性能優勢與市場前景

在當今快速發展的電力電子領域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,碳化硅肖特基二極管作為一種重要的電子器件,正逐漸成為電力電子領域的明星產品。本文將深入探討碳化硅肖特基二極管的優勢、市場前景及其在各領域的應用。

一、碳化硅肖特基二極管的優勢

高頻率運作:碳化硅材料具有很高的電子飽和速度和禁帶寬度,使得碳化硅肖特基二極管能夠在高溫和高頻率條件下穩定運行,這對于高頻開關電源電機控制和電動汽車等領域至關重要。

高效能表現:碳化硅肖特基二極管的反向恢復時間很短,幾乎不存在反向恢復損耗,使得其在高效能電力轉換方面具有顯著優勢。此外,碳化硅材料的高導熱性能也有助于提高器件的散熱性能,降低因高溫而導致的性能下降。

節省能源:由于碳化硅肖特基二極管的低功耗特性,使用該器件可以幫助設備實現節能減排,符合綠色環保的發展趨勢。

緊湊輕便:碳化硅材料具有高擊穿場強,允許制造更緊湊、輕便的二極管器件,這在空間受限的應用中尤為重要。

二、市場前景

隨著電動汽車、可再生能源和智能電網等領域的迅猛發展,對高效能電力電子器件的需求不斷增長。碳化硅肖特基二極管憑借其獨特的性能優勢,正逐漸成為這些領域中的理想選擇。預計未來幾年,全球碳化硅肖特基二極管市場將呈現快速增長態勢。

三、應用領域

電動汽車與電動機控制:碳化硅肖特基二極管的高頻率、高效能和緊湊特性使其成為電動汽車電機控制器和充電樁的理想選擇。它可以提高系統效率,延長電動汽車的續航里程,同時降低充電過程中的能量損失。

智能電網與可再生能源:碳化硅肖特基二極管在智能電網和可再生能源領域的應用廣泛。例如,它可以用于太陽能逆變器和風力發電系統的能源轉換,提高系統的能效和穩定性。此外,在智能電網中,碳化硅肖特基二極管還可用于實現快速、高效的能源調度和管理。

工業自動化電機驅動:在工業自動化和電機驅動領域,碳化硅肖特基二極管的高效性能可以幫助實現更精確的電機控制和更高的系統能效,從而提高生產效率和降低運營成本。

電源與能源轉換:在電源和能源轉換領域,碳化硅肖特基二極管可廣泛應用于各種開關電源、變頻器、充電樁等設備中,實現高效、可靠的能源轉換和節能減排。

四、總結與展望

碳化硅肖特基二極管憑借其卓越的性能優勢和市場前景,正逐漸成為電力電子領域的熱點。隨著相關技術的不斷進步和應用領域的拓展,預計碳化硅肖特基二極管將在未來發揮更加重要的作用。同時,隨著市場規模的持續擴大和產業的發展成熟,碳化硅肖特基二極管的成本有望進一步降低,使其在更多領域得到廣泛應用。

無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規集成電路研發及產業化的高科技創新型企業,從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產品芯片設計、生產與銷售并提供相關產品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發區內,并在杭州、深圳和香港設有研發中心和銷售服務支持中心及辦事處。

公司具有國內領先的研發實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質穩定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產品,同時提供一站式的應用解決方案和現場技術支持服務,使客戶的系統性能優異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產品已經投入批量生產,產品完全可以對標國際品牌同行的先進品質及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級、車規級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網、高頻電焊、軌道交通、工業控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現優異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統整體可靠性,可使電動汽車在續航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現設計用充電樁的高溫環境下安全、穩定運行。

特別在高低壓光耦半導體技術方面更是擁有業內領先的研發團隊。在國內創先設計開發了28nm光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產應用于60V、400V、600V高低壓、低內阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構的新產品認定。

公司核心研發團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發。公司建立了科技創新和知識產權管理的規范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內自主發明專利。

“國之重器,從晶出發,自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業目標,我們為員工提供精彩的發展空間,為客戶提供精良的產品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:碳化硅肖特基二極管:性能優勢與市場前景

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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