英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15 V 功率 MOSFET 的半導(dǎo)體制造商，采用全新系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS 7 MOSFET 技術(shù)。新產(chǎn)品創(chuàng)建行業(yè)新基準(zhǔn)，我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁出新的一步, 釋放更優(yōu)秀系統(tǒng)效率和性能，賦能未來(lái)。

與 OptiMOS 5 25 V 相比，更低的擊穿電壓可顯著降低通態(tài)電阻RDS(on)和 FOMQg/FOMQOSS，成為同類最佳的產(chǎn)品。可選的組合包括 PQFN 3.3x3.3 mm2源極底置封裝（帶底部和雙面散熱型）、襯底上的標(biāo)準(zhǔn)柵和中心柵電極，可靈活優(yōu)化的 PCB 布局設(shè)計(jì)，以及緊湊的超小型PQFN 2x2 mm2封裝。脈沖電流能力超過(guò) 500 A，Rthjc為 1.6 K/W。結(jié)合源極底置封裝，不僅降低了導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)簡(jiǎn)化散熱管理，還將功率密度和效率推向了新高度。該產(chǎn)品系列為支持?jǐn)?shù)據(jù)中心配電架構(gòu)的新趨勢(shì)（如48:1 DC-DC 轉(zhuǎn)換）提供了飛躍性的支持，開(kāi)啟服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和人工智能應(yīng)用升級(jí)的新篇章，同時(shí)最大限度地減少了碳足跡。

主要特點(diǎn)

業(yè)內(nèi)首款 15 V 溝槽功率 MOSFET

與 25 V 節(jié)點(diǎn)相比，RDS(on) 達(dá)到新基準(zhǔn)

出色的 FOMQg/ FOMQOSS

極低的寄生效應(yīng)

提供標(biāo)準(zhǔn)和中心柵極引腳

可選雙面散熱型

主要優(yōu)勢(shì)

適用于高轉(zhuǎn)換率DC-DC 轉(zhuǎn)換器

降低導(dǎo)通/開(kāi)關(guān)損耗

最佳開(kāi)關(guān)性能和低過(guò)沖

源極底置中心柵極可優(yōu)化并聯(lián)電路布局

源極底置標(biāo)準(zhǔn)柵極可與現(xiàn)有PCB 布局輕松匹配

雙面散熱，提高散熱性能

價(jià)值主張

適用于高比率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器：

業(yè)內(nèi)首款工業(yè)級(jí) 15V 垂直溝槽技術(shù)功率MOSFET

與 OptiMOS 5 25V 相比，RDS(on),max4,5 降低 30%

出色的 FOMQOSS 和 FOMQg

緊湊的PQFN 2x2 mm2封裝

ID（pulse）=516A，RthJCmax=3.2K/W

雙面散熱PQFN 3.3x3.3 mm2源極底置封裝：

- 簡(jiǎn)化散熱管理

- 降低系統(tǒng)溫度

提高功率密度

15V產(chǎn)品組合

審核編輯：湯梓紅