媒體已獲悉，蘋果將在今年年中推出全新的M3 Ultra芯片，引領(lǐng)新一輪的芯片技術(shù)革新。這款芯片將成為首款采用臺(tái)積電N3E工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品。

回顧蘋果的芯片發(fā)展歷程，M3、M3 Pro和M3 Max等芯片已采用臺(tái)積電的N3B工藝，而即將發(fā)布的A17 Pro也基于N3B工藝。然而，M3 Ultra和未來的A18系列芯片將轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的N3E工藝節(jié)點(diǎn)，預(yù)示著蘋果在芯片技術(shù)上的持續(xù)突破。

臺(tái)積電在規(guī)劃其3nm工藝技術(shù)時(shí)，推出了五種不同的節(jié)點(diǎn)，包括N3B、N3E、N3P、N3S和N3X。其中，N3B是首個(gè)3nm節(jié)點(diǎn)，并已投入量產(chǎn)。而N3E作為N3B的增強(qiáng)版，雖然從已披露的技術(shù)資料來看，其柵極間距并未達(dá)到預(yù)期效果，但這一工藝節(jié)點(diǎn)在降低生產(chǎn)成本和提高良率方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。

有業(yè)內(nèi)人士指出，臺(tái)積電的N3B工藝在良率和金屬堆疊性能方面表現(xiàn)不佳。因此，盡管N3B是一個(gè)重要的技術(shù)里程碑，但它不會(huì)成為臺(tái)積電的主要節(jié)點(diǎn)。相比之下，N3E工藝將使用更少的EUV光刻層，從25層減少到21層，從而降低投產(chǎn)難度并提高良率。這一改進(jìn)不僅降低了生產(chǎn)成本，也使得晶體管密度相應(yīng)降低。

蘋果M3 Ultra的發(fā)布標(biāo)志著臺(tái)積電N3E工藝節(jié)點(diǎn)在芯片制造領(lǐng)域的重要應(yīng)用。盡管晶體管密度有所降低，但這一技術(shù)進(jìn)步為未來的芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)提供了更大的靈活性。我們期待看到蘋果如何利用這一新的工藝節(jié)點(diǎn)為其產(chǎn)品帶來更多創(chuàng)新和性能提升。

這一技術(shù)革新將進(jìn)一步鞏固蘋果在全球芯片市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，并為消費(fèi)者帶來更出色的產(chǎn)品體驗(yàn)。

審核編輯：黃飛