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賽普拉斯的NV-SRAM接口解決方案

星星科技指導員 ? 來源:ramsun ? 作者:ramsun ? 2024-01-09 10:54 ? 次閱讀

賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元(訪問時間高達20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲元件相結合,可提供快速的異步讀寫訪問速度,并在其整個工作范圍內具有20年的數據保留。具有控制器的典型NV-SRAM接口如圖1所示。

20201217094211376.jpg

圖1.帶微控制器的NV-SRAM接口

高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫訪問,并且可以像標準SRAM中一樣無限次地寫入或讀取NV-SRAM。如果斷電則利用存儲在與NV-SRAM的VCAP引腳相連的小電容器中的電荷將SRAM中保存的數據傳輸到與每個SRAM單元集成的非易失性元件。 NV-SRAMVCAP引腳上需要的電容器只有幾十μF,典型值為68 μF(有關VCAP的允許范圍,并在上電期間通過內部充電電路進行充電。 VCAP上存儲的電荷足以在掉電期間將SRAM數據復制到非易失性元件(稱為存儲操作)。

此存儲操作對應用程序是透明的,因為當VCC電源在閾值水平(VSWITCH)以下故障時會自動執行該存儲操作。數據從SRAM到集成非易失性元件的并行傳輸意味著存儲(將SRAM數據傳輸到非易失性元件)所花費的時間等于一次EEPROM寫(字節寫或頁寫)操作。上電時非易失性數據會自動傳送回SRAM,這稱為RECALL操作。這使NV-SRAM成為真正的非易失性存儲器,可以在斷電時將數據保存在其非易失性元素中,而無需任何外部電源備份,例如電池或Supercaps。

NV-SRAM中的STORE和RECALL操作也可以通過軟件命令按需執行。 NV-SRAM具有許多其他功能,新應用程序可以使用這些功能。

與其他現有電路解決方案相比,賽普拉斯的NV-SRAM提供了最快,最可靠的非易失性解決方案。

審核編輯:黃飛

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