什么是可控硅調(diào)壓器？

可控硅調(diào)壓器是一種電源功率控制電器，以可控硅（電力電子功率器件）為基礎(chǔ)，以專用控制電路為核心。它具有效率高、無(wú)機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕等諸多優(yōu)點(diǎn)。

可控硅調(diào)壓器又稱晶閘管調(diào)功器、晶閘管調(diào)壓器、晶閘管調(diào)整器、可控硅調(diào)功器、可控硅調(diào)整器等，英文簡(jiǎn)稱為SCR。在單片機(jī)控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動(dòng)器件，特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。

其工作原理是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。在正常工作時(shí)，由于電網(wǎng)中的電流是一定的，而負(fù)載是變化的，所以必須用一個(gè)可以調(diào)節(jié)的電路來(lái)改變加載于電網(wǎng)中某一電阻上的電壓大小以適應(yīng)負(fù)載的變化。

可控硅調(diào)壓器怎么接線？

可控硅調(diào)壓器的接線方法主要有以下幾種：

1. 直接調(diào)壓模式：在這種模式下，可控硅調(diào)壓器可以直接連接到交流電源和負(fù)載上。接線順序是電源→調(diào)壓器→負(fù)載。這種方式適用于功率較小的負(fù)載，例如燈光、射頻通訊等場(chǎng)合。
2. 逆并聯(lián)調(diào)壓模式：這種模式下，可控硅調(diào)壓器是兩個(gè)負(fù)載之間的中間調(diào)壓器。接線順序是正負(fù)載A→調(diào)壓器輸入端→調(diào)壓器輸出端→負(fù)載B。這種方式適用于負(fù)載電器間的電壓匹配。
3. 組合模式：這種模式下，可控硅調(diào)壓器與其他調(diào)壓器組合連接。接線順序會(huì)根據(jù)不同的組合方式而有所變化，需要根據(jù)具體情況而定。

此外，可控硅調(diào)壓器的接線步驟如下：

1. 將控制端與陰極短接，然后將陽(yáng)極接入直流電源正極，最后將陰極接入直流電源負(fù)極即可實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)電壓的目的。
2. R為限流電阻，C為濾波電容。當(dāng)接通直流電后，當(dāng)Q1導(dǎo)通時(shí)，C充電；反之，當(dāng)Q2導(dǎo)通時(shí)，C放電。通過(guò)改變控制端的電流，可以改變Q1和Q2的導(dǎo)通時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓的調(diào)節(jié)。
   下面小編分享一些可控硅調(diào)壓器電路圖，以及簡(jiǎn)單分析它們的工作原理。

可控硅調(diào)壓器電路圖分享

1、可控硅交流調(diào)壓器電路圖

可控硅交流調(diào)壓器由可控整流電路和觸發(fā)電路兩部分組成，其電路原里圖如下圖所示。

從圖中可知，二極管D1—D4組成橋式整流電路，雙基極二極管T1構(gòu)成張弛振蕩器作為可控硅的同步觸發(fā)電路。當(dāng)調(diào)壓器接上市電后，220V交流電通過(guò)負(fù)載電阻RL經(jīng)二極管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K兩端形成一個(gè)脈動(dòng)直流電壓，該電壓由電阻R1降壓后作為觸發(fā)電路的直流電源。在交流電的正半周時(shí)，整流電壓通過(guò)R4、W1對(duì)電容C充電。

當(dāng)充電電壓Uc達(dá)到單結(jié)晶體管T1管的峰值電壓Up時(shí)，單結(jié)晶體管T1由截止變?yōu)閷?dǎo)通，于是電容C通過(guò)T1管的e、b1結(jié)和R2迅速放電，結(jié)果在R2上獲得一個(gè)尖脈沖。這個(gè)脈沖作為控制信號(hào)送到可控硅SCR的控制極，
使可控硅導(dǎo)通。可控硅導(dǎo)通后的管壓降很低，一般小于1V，所以張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電通過(guò)零點(diǎn)時(shí)，可控硅自關(guān)斷。當(dāng)交流電在負(fù)半周時(shí)，電容C又從新充電……如此周而復(fù)始，便可調(diào)整負(fù)載RL上的功率了。

2、220v雙向可控硅電路圖

由圖可見(jiàn)，由VD3、VD4、R、RP和C構(gòu)成在正負(fù)兩個(gè)半周內(nèi)電阻不同的電容充電回路（當(dāng)RP滑動(dòng)端位于中心處除外），從而使可控硅vs在正負(fù)兩個(gè)半周內(nèi)導(dǎo)通角不同。

再通過(guò)二極管VD1、VD2的引導(dǎo)作用，使燈Hl、H2分別工作在正負(fù)兩個(gè)半周期內(nèi)。當(dāng)電位器RP滑動(dòng)端右移時(shí)，可控硅vs在正半周內(nèi)導(dǎo)通角增大，而負(fù)半周內(nèi)導(dǎo)通角減小，故使燈Hl亮度增大，燈H2亮度減弱；如將電位器RP滑動(dòng)端左移，可控硅vs在負(fù)半局時(shí)導(dǎo)通角加大，而正半周時(shí)導(dǎo)通角減小，則燈H1亮度減弱，而燈H2亮度加大。

當(dāng)電位器RP滑動(dòng)端位于中心位置時(shí)，因電容C在正負(fù)兩半周的充電時(shí)間相同，可控硅vs在正負(fù)兩半周的導(dǎo)通角也相同，燈Hl和H2亮度一樣。由此可見(jiàn)調(diào)節(jié)電位器RP，可使Hl和H2的亮度進(jìn)行平滑變化過(guò)渡。

3、可控硅調(diào)壓器電路圖

使用一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)的熱敏電阻，用如圖1a的電路可以用最少的元件、成本和復(fù)雜性將溫度控制到1℃或更好的精度。該電路含有保護(hù)以防止溫度傳感器短路或開(kāi)路，且所有的元器件都是常用件。

該控制器是PWM類型的，但它有指數(shù)的傳遞特性，而不是線性的。這個(gè)設(shè)計(jì)是基于一個(gè)LM339(四比較器)，并包含了溫度補(bǔ)償。由于比較器的溫漂會(huì)產(chǎn)生的Vos的變化，并導(dǎo)致了振蕩器輸出改變。然而，在產(chǎn)生工作周期的比較器上，也發(fā)生了同樣的變化，兩者相抵 消從而消除了控制器的溫漂。

該控制器的核心是由IC1a、IC1b和相關(guān)元件組成的振蕩器。振蕩器輸出的電壓峰值和最小電壓值是決定控制器精度的主要因素。

振蕩器的輸出直接接到產(chǎn)生工作周期的比較器IC1c的輸入端。R8決定溫度的設(shè)置點(diǎn)。R8到Rtherm的分壓為產(chǎn)生工作周期的比較器提供比較電壓，比較的輸出驅(qū)動(dòng)一個(gè)光隔離的雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器。