作為當(dāng)今存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，非易失性存儲(chǔ)器（FeRAM）正逐漸成為市場(chǎng)上的主流存儲(chǔ)解決方案。隨著數(shù)據(jù)量爆炸式增長(zhǎng)以及邊緣計(jì)算的普及，非易失性存儲(chǔ)器在保證數(shù)據(jù)安全、提高存儲(chǔ)密度和降低功耗方面展現(xiàn)出巨大優(yōu)勢(shì)。

加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體提供的配備 Quad SPI 接口的 8Mbit FeRAM MB85RQ8MLX，其密度堪稱 Fujitsu SPI 接口 FeRAM 產(chǎn)品系列之最。

MB85RQ8MLX 是一款具有 8Mbit 存儲(chǔ)密度的非易失性存儲(chǔ)器，可在 1.7V 至 1.95V 的低電源電壓下工作。Quad SPI 接口 FeRAM 通過四個(gè) I/O 引腳和 108MHz 的工作頻率實(shí)現(xiàn)了 54MB/s 的數(shù)據(jù)讀取/寫入速度。它比運(yùn)行在 50MHz 的其他 SPI 接口 FeRAM 產(chǎn)品快 8 倍以上，后者以 6.25MB/s 的速度傳輸數(shù)據(jù)。

MB85RQ8MLX 在高達(dá) 105°C 的高溫環(huán)境中以最高 108MHz 的工作頻率實(shí)現(xiàn)了每秒 54MB 的快速數(shù)據(jù)傳輸速率，同時(shí)具有高速運(yùn)行和非易失性，非常適合高性能計(jì)算(HPC)、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)計(jì)算，如可編程邏輯控制器(PLC)、人機(jī)界面(HMI)和RAID控制器。

FeRAM 使用示例 在工業(yè)計(jì)算中，由于高速數(shù)據(jù)處理導(dǎo)致計(jì)算單元中的環(huán)境溫度升高，因此需要保證電子元件在高溫環(huán)境中運(yùn)行。MB85RQ8MLX將工作溫度范圍的上限從一般產(chǎn)品的 85°C 擴(kuò)展到了 105°C，以滿足工業(yè)使用中的關(guān)鍵要求。 FeRAM MB85RQ8MLX 不需要任何數(shù)據(jù)備份電池，并為使用低功耗 SRAM 作為緩沖器的客戶帶來(lái)無(wú)需電池的計(jì)算成本優(yōu)勢(shì)。

此外，F(xiàn)eRAM是一款非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如閃存和EEPROM）相比，具有寫入速度快、讀/寫耐久性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。富士通的FeRAM產(chǎn)品可以解決因使用閃存、EEPROM或低功耗SRAM而產(chǎn)生的問題。

客戶問題及解決方案

案例一：使用閃存

問題：由于寫入耐久性較低，軟件開發(fā)負(fù)擔(dān)較大

解決方案：通過使用具有高讀/寫耐久性的 FeRAM，無(wú)需開發(fā)用于磨損均衡開發(fā)的軟件

案例二：EEPROM的使用

問題：數(shù)據(jù)寫入時(shí)間長(zhǎng) 解決方案：通過使用具有快速寫入操作的 FeRAM 來(lái)減少數(shù)據(jù)寫入時(shí)間

案例三：使用低功耗 SRAM

問題：數(shù)據(jù)備份電池的使用和額外費(fèi)用

解決方案：不使用電池作為非易失性存儲(chǔ)器的 FeRAM 提供 54MB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速度

MB85RQ8MLX 自推出以后，富士通半導(dǎo)體現(xiàn)在有三種類型的 8Mbit 存儲(chǔ)器產(chǎn)品。客戶的終端產(chǎn)品需要不同的功能，憑借三種類型的 8Mbit 產(chǎn)品，該公司現(xiàn)在能夠滿足各種各樣的客戶需求，并以此為豪。

8Mbit 內(nèi)存產(chǎn)品系列

審核編輯：劉清