本章介紹

在本章當中，我們將為大家介紹硅片制造中使用的四種基本工藝，這四種基本工藝常用于在晶圓片表面上加工集成電路(IC)的電子元件。這些基本工藝包括電路設計的最開始環節，一直持續到生產光罩和光圈的步驟中。并且我們將為大家詳細介紹一些晶圓和芯片的特性和術語。一個標準的流程圖就可以顯示構建一個簡單半導體器件的詳細步驟。

在晶圓制造過程的最后階段，功能芯片進入到了封裝階段。安裝裸芯片有許多選項和過程，它們可以在同一個封裝體當中直接在電路板上堆疊(3-D)多個芯片(芯片)。后續我們將會介紹這些過程的基本步驟和封裝選項。

晶圓制造的目標

微芯片制造的幾個階段是材料制備、晶體生長和晶體合成/晶圓制備，晶圓制造和電氣分類，以及封裝或最終測試。前兩個階段已在前面的章節當中進行較為細致的探討。在本章中，我們將為大家介紹一些第三階段的基本原理，也就是晶圓制造相關部分的介紹。后續我們會逐漸涵蓋具體的制造工藝和技術、電子晶圓的分類和包裝等等比較細節的內容。

晶圓制造是用于制造半導體的制造過程，可以在晶圓片表面上制作器件和電路。拋光的晶圓片來了工廠后，在進入制造時，表面是空白的，離開工廠時，表面覆蓋著數百個已經完成的芯片(如下圖所示)。

晶片的術語

一個已經完成的晶圓如下圖所示。

晶圓片表面的區域有:

1.芯片、晶片、器件、電路、微芯片或條。所有這些術語都是用來識別覆蓋大部分晶圓表面的微芯片圖案。

2.劃線，鋸線，街道和大道。這些區域是用來執行芯片與芯片之間完成分離的過程。一般來說,劃線道是空白的，但有些公司會放置對齊目標或其中的電氣測試結構(見圖中所示)。

3.工程模具和試驗模具。這些芯片和普通的不一樣，它們包含不同的器件或電路芯片。它們包含特殊的裝置和電路元件，進而允許在工藝和制造過程中進行電氣測試質量控制。

4.芯片邊緣。晶圓片的邊緣包含部分芯片圖案就會浪費空間。在相同直徑的晶圓上，更大的晶片可以放置大量的部分芯片。更大直徑的晶圓可以最大限度地減少浪費的空間，進而可以加工更多的芯片。

5.晶圓平面。剖面圖說明了晶體結構電路層下的晶圓片。圖表顯示，芯片的邊緣是面向晶圓片的晶體結構。

6.晶片平面。來自于晶圓制備階段的晶圓片具有可以表征晶體取向和摻雜極性的平面或缺口。較長的等級稱為主平面，較短的等級稱為次平面。所描繪的薄片有一個大平面和一個小平面，<100>表明它是一個P-型取向晶圓片(見之前我們介紹過的平面代碼)。300mm和450mm直徑的晶圓片使用缺口作為晶體取向指示器。在許多晶圓制造過程中，刻槽也有助于晶圓的對準流程。

審核編輯：劉清