絕緣門極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）是一種絕緣門極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）是一種結(jié)合了MOSFET和BJT優(yōu)點(diǎn)的半導(dǎo)體器件。它既具有MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率和快速開關(guān)特性，又具有BJT的低導(dǎo)通壓降和高電流能力。因此，IGBT在電力電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、可再生能源等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

一、IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理

IGBT是三端器件，三個(gè)極為漏極（D）、柵極（G）和源極（S）。

當(dāng)柵極電壓為正時(shí)，柵極下方的P型基區(qū)會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電通道，使得N型發(fā)射區(qū)的電子能夠順利地流入N型緩沖層，進(jìn)而到達(dá)P+集電區(qū)。此時(shí)，IGBT處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流從集電極流向發(fā)射極。當(dāng)柵極電壓為負(fù)時(shí)，柵極下方的P型基區(qū)無法形成導(dǎo)電通道，N型發(fā)射區(qū)的電子無法流入N型緩沖層，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)，電流無法通過。

二、IGBT的特點(diǎn)

高輸入阻抗：IGBT的輸入阻抗非常高，可以達(dá)到10^6Ω以上。

低驅(qū)動(dòng)功率：由于IGBT的高輸入阻抗，其驅(qū)動(dòng)功率非常低，通常只需要幾瓦特到幾十瓦特。這有利于降低系統(tǒng)的能耗和散熱需求。

低導(dǎo)通壓降：IGBT的導(dǎo)通壓降非常低，通常只有1V左右。

總之，絕緣門極晶體管（IGBT）作為一種高性能的半導(dǎo)體器件，在電力電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、可再生能源等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，IGBT的性能將進(jìn)一步提高，應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒏訌V泛。