共基放大電路其特點是將晶體管的基極共同連接到一個固定的參考電壓（通常是地或負電源），從而使輸入信號和輸出信號都在晶體管的發射極和集電極之間產生。這種配置與共射極放大電路和共源極MOSFET放大電路不同，后兩者的輸入和輸出都是在基極和集電極/漏極之間。

共基放大電路的主要優勢在于其寬帶寬特性。從電路圖可以看出，由于晶體管基極與大電容C2相連，這使得基極在交流信號下相當于接地。在這種情況下，基極和發射極間的電壓幾乎保持不變，大約為一個二極管的正向偏壓（約0.7V）。因此，發射極在交流信號下也相當于是接地的。

由于這種配置，晶體管的基極-發射極結（即BE結）的寄生電容Cbe不會受到密勒效應的影響而增大。密勒效應是指在共射極配置中，由于晶體管的電壓增益A，寄生電容Cbe會等效地增大到ACbe，從而降低電路的高頻響應。然而，在共基配置中，由于不存在這種放大效應，Cbe保持原始值，使得電路的頻率響應得到優化，因此具備更好的高頻性能。

這一特性使得共基放大電路非常適合于需要寬帶寬應用的場景，如射頻放大器和高速信號處理，能夠有效地處理高頻信號而不受到寄生電容的影響。

由于共基放大電路的特有屬性，它被廣泛應用于以下場合：

高頻放大器：共基配置能夠處理比共射配置更高的頻率，因此常用于射頻放大器設計。

電流緩沖器：由于其較低的輸出阻抗，它可以作為一個電流緩沖器，以驅動后續的負載。

共基放大電路雖然在傳統的模擬音頻放大器中不如共射極放大電路常見，但它在特定應用中，尤其是涉及到高頻信號處理或需要特定的阻抗特性時，是一種非常有價值的工具。它的一些非傳統特性，比如同相放大和寬帶寬，使它在某些領域變得不可或缺。