英飛凌IGBT7單管系列，作為目前炙手可熱的光儲應用新星產(chǎn)品，正受到眾多玩家的追捧。本篇文章特地為大家貼心整理該系列產(chǎn)品的核心知識大全，希望大家買得放心，用得順手~

更全型號選擇，總有一款適合你

IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應用，例如馬達驅(qū)動。該系列可實現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設(shè)計散熱器，縮短設(shè)計周期和降低設(shè)計成本。

H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，通過優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)，極大程度上降低了器件的導通損耗和開關(guān)損耗。650V H7芯片開關(guān)頻率最高可達100kHz，1200V H7芯片最高開關(guān)頻率可達40kHz，適合追求高效率、低損耗的各種應用。H7最大電流140A為市場首發(fā)，而英飛凌上一代1200V高速單管Highspeed3 H3的最大電流規(guī)格僅為75A。

1200V IGBT7與前代IGBT性能對比

650V IGBT7與前代IGBT性能對比

封裝升級，性能更優(yōu)

IGBT7單管系列部分產(chǎn)品采用新的TO-247-3-HCC封裝，增加了爬電距離和電氣間隙。

非對稱TO-247-4p封裝IKZA系列，降低了輔助發(fā)射極和柵極引腳的寬度，避免焊接時連錫的現(xiàn)象，使安裝更容易，可靠性更高。

高可靠性，適用戶外場景

IGBT7單管全系列（T7,S7,H7）在芯片工藝、封裝各方面做了優(yōu)化，具有出色的防潮性能以及抗宇宙射線能力，可在惡劣環(huán)境中可靠運行。該器件通過了JEDEC 47/20/22的相關(guān)測試，特別是HV-H3TRB，符合工業(yè)應用標準，因此非常適用于光伏、儲能、充電樁等戶外的場景應用。