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25W PD快充芯片U8722BH的工作原理介紹

開(kāi)關(guān)電源芯片 ? 來(lái)源:開(kāi)關(guān)電源芯片 ? 2024-02-27 16:40 ? 次閱讀
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25W PD快充芯片新勢(shì)力——U8722BH

對(duì)于手機(jī)廠商來(lái)說(shuō),手機(jī)快充不統(tǒng)一的情況下,用戶買(mǎi)充電頭、充電線都需要買(mǎi)自己的,否則就不能實(shí)現(xiàn)快充功能。這既是一條可靠的護(hù)城河,也是一筆可觀的收入。但迫于環(huán)保的壓力,手機(jī)快充也在朝統(tǒng)一的方向前進(jìn)。深圳銀聯(lián)寶科技的25W PD快充芯片U8722BH經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的市場(chǎng)檢驗(yàn),獲得很高的評(píng)價(jià),需要快充芯片的小伙伴有福啦!

25W PD快充芯片U8722BH的工作頻率最高可達(dá)220kHz,可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流可配置功能,可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)置Boost供電電路,非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。

U8722BH

PD快充芯片U8722BH腳位有別于U8722DE,具體管腳名稱如下:

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

4 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

5 GND P 芯片參考地

6 VDD P 芯片供電管腳

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳

由于原邊功率開(kāi)關(guān)寄生電容、變壓器寄生電容和副邊整流管反向恢復(fù)的原因,功率開(kāi)關(guān)開(kāi)通瞬間會(huì)在采樣電阻上產(chǎn)生電壓尖刺。為避免驅(qū)動(dòng)信號(hào)被錯(cuò)誤關(guān)閉,PD快充芯片U8722BH內(nèi)部集成有前沿消隱功能。

在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通之后的TLEB_OCP (典型值 232ns) 時(shí)間內(nèi),峰值電流比較器不會(huì)關(guān)閉功率開(kāi)關(guān)。在異常過(guò)流保護(hù)狀態(tài)下 (AOCP),為保證系統(tǒng)可靠性,當(dāng)CS管腳電壓達(dá)到AOCP保護(hù)閾值VCS_AOCP(典型值-1.2)時(shí),前沿消隱時(shí)間進(jìn)一步降低到TLEB_AOCP(典型值 131ns)。

U8722BH

PD快充芯片U8722BH主要特性:

*集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

*超低啟動(dòng)和工作電流,待機(jī)功耗 <30mW

*谷底鎖定模式,最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz,130kHz)

*集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

*驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

*集成 Boost 供電電路

*集成完備的保護(hù)功能:VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)、輸出過(guò)壓保護(hù) (OVP)、輸入欠壓保護(hù) (BOP)、片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)、逐周期電流限制 (OCP)、異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)、短路保護(hù) (SCP)、過(guò)載保護(hù) (OLP)、過(guò)流保護(hù) (SOCP)、前沿消隱 (LEB)、CS 管腳開(kāi)路保護(hù)

*封裝類型 HSOP-7



審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:25W PD快充芯片新勢(shì)力——U8722BH

文章出處:【微信號(hào):gh_3980db2283cd,微信公眾號(hào):開(kāi)關(guān)電源芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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