車載電子設備實時收集汽車行駛狀態、駕車者和乘客的狀況、以及周邊環境等信息，并自動判斷汽車自身及其乘員狀態，及時提醒駕乘人員采取相應措施。

隨著汽車智能化水平的提升，車載電子設備需要更高性能和可靠性的非易失存儲器。MRAM具有納秒級高速寫入和萬億次擦寫耐久度，可滿足汽車電子應用場景的頻繁實時記錄數據的要求；以下是汽車信息采集系統結構圖：

國芯思辰HS4MANSQ1A-DS1是一個容量為4Mbit的MRAM芯片，支持SPI/QPI(串行單線/四線接口)，該芯片可配置為1位I/O 獨立接口或4位I/O通用接口。HS4MANSQ1A-DS1在存儲器陣列中采用磁技術，在汽車電子中應用滿足耐久性需求，數據可以保持10年以上。

HS4MANSQ1A-DS1封裝圖

MRAM HS4MANSQ1A-DS1單一電源VCC僅3.3V，待機電流只有2mA，休眠電流僅有2μA，可以很好的節省汽車中器件的電量消耗。從耐久度上來看，HS4MANSQ1A-DS1在105℃環境下數據可以保留10年以上，85℃環境下數據可以保留20年以上，由此，國芯思辰MRAMHS4MANSQ1A-DS1完全適合汽車電子的存儲系統。

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