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意法半導體推出新型功率MOSFET和IGBT柵極驅動器

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 2024-03-12 10:54 ? 次閱讀

意法半導體(ST)近日推出了一系列功率MOSFETIGBT柵極驅動器,這些產品不僅在設計上追求穩(wěn)健性和可靠性,還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性,以滿足不同應用場景的需求。

此次推出的驅動器產品系列特點鮮明,包括集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器,這些特性使得它們能夠適應各種復雜的工作環(huán)境,無論是工業(yè)應用還是消費電子領域,都能展現(xiàn)出出色的性能。

值得一提的是,STGAP系列隔離柵極驅動器在安全性控制方面表現(xiàn)尤為突出。該系列驅動器在輸入部分和被驅動的MOSFET或IGBT之間提供了電氣隔離,這一設計有效地防止了電氣故障的發(fā)生,從而確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。此外,其無縫集成和優(yōu)質性能的特點也使得它在市場上備受青睞。

針對SiC MOSFET的安全控制需求,ST還特別推出了STGAP2SICS系列驅動器。這一系列產品經(jīng)過專門優(yōu)化,可在高達1200V的高壓下工作,為節(jié)能型電源系統(tǒng)、驅動器和控制裝置提供了理想的解決方案。無論是在工業(yè)電動汽車充電系統(tǒng),還是在太陽能、感應加熱和汽車OBC DC-DC等領域,STGAP2SICS系列都能發(fā)揮出其卓越的性能,幫助用戶簡化設計、節(jié)省空間,并增強系統(tǒng)的穩(wěn)健性和可靠性。

業(yè)內專家表示,意法半導體此次推出的新型功率MOSFET和IGBT柵極驅動器,不僅體現(xiàn)了公司在半導體技術領域的深厚實力,也展示了其對市場需求的敏銳洞察。這些產品的推出,將為功率電子領域的發(fā)展注入新的活力,推動整個行業(yè)的進步。

未來,意法半導體將繼續(xù)加大在功率電子領域的研發(fā)投入,推出更多創(chuàng)新產品,滿足市場不斷變化的需求。同時,公司也將致力于提升產品的性能和品質,為用戶提供更加優(yōu)質的服務和解決方案。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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