用于輕型電動汽車和ISG的逆變器、電池管理系統和接線盒的負載開關以及半導體繼電器，要求產品具有高可靠性、高漏極電流額定值和高散熱設計。面對這樣的需求，東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車載N溝道功率MOSFET產品—80V“XPQR8308QB”和100V“XPQ1R00AQB”。

這兩款產品采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝，導通電阻極低。此外，L-TOGL封裝采用銅夾片結構，通過厚銅框連接MOSFET芯片和外部引腳。與東芝現有TO-220SM(W)封裝相比，封裝電阻下降大約70%，結殼熱阻降低50%。同時，該封裝采用鷗翼式引線，可降低安裝應力，提高板載貼裝器件焊點可靠性。這些特性可在大電流時實現設備的低功耗和高散熱，滿足汽車設備對48V電池日益增長的需求。

當應用需要更大工作電流時，可以并聯MOSFET。在這種并聯連接中，并聯MOSFET的特性差異越小越好。為減小這種偏差，我們支持根據柵極閾值電壓分組發貨。

本系列目前有四種L-TOGL封裝產品，包括東芝現有40V產品“XPQ1R004PB和XPQR3004PB”。

該兩款產品可應用于汽車設備當中，包括逆變器、半導體繼電器、負載開關、電機驅動電路等。產品特性如下：

? 低導通電阻：

XPQR8308QB RDS(ON)＝0.83mΩ（最大值）（VGS＝10V）

XPQ1R00AQB RDS(ON)＝1.03mΩ（最大值)（VGS＝10V）

?L-TOGL高散熱封裝

?AEC-Q101認證

主要規格

內部電路

應用電路示例

東芝將提供更多合適的產品，以滿足車載應用對大電流、高功率密度設計和高可靠性不斷增長的需求。

審核編輯：劉清