4月26-28日，“2024功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）”將于成都召開。

會議是在電子科技大學和第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導下，極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)聯(lián)合電子薄膜與集成器件國家重點實驗室、成都信息工程大學、電子科技大學集成電路研究中心、第三代半導體產(chǎn)業(yè)共同主辦”，論壇會議內(nèi)容將涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設備制造、整機應用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。

期間，蘇州納維科技有限公司將出席會議并期待與業(yè)界同仁，共同交流，洽談合作。

蘇州納維科技有限公司創(chuàng)立于2007年，以中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所為技術依托，立足于設備的自主研發(fā)，專注于從事高質(zhì)量，大尺寸氮化物材料的生長與產(chǎn)品開發(fā)，為產(chǎn)業(yè)界和研發(fā)機構(gòu)提供各類氮化鎵材料，目前公司擁有核心技術專利三十余項，是中國首家氮化鎵襯底晶片供應商。

目前公司針對企業(yè)、高校和研究所的不同用戶，主要提供如下產(chǎn)品:

1.2 英寸自支撐氮化鎵襯底(Free-standing GaN Substrate)，厚度0.35 ~ 0.4mm，位錯密度為105/cm2量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型；

2.小尺寸方形(邊長5mm ~20mm)自支撐氮化鎵襯底，位錯密度為 105/cm2量級，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型，單面或者雙面拋光；

3.小尺寸非極性面和半極性面自支撐氮化鎵襯底，a面或者m面；

4.15 ~40 微米厚度的 2英寸厚膜氮化鎵襯底(GaN/sapphire)，位錯密度為 107/cm2量級，分為 n 型摻雜、非摻和半絕緣三種類型；

5.高結(jié)晶度氮化鎵粉體材料；

6.氮化鋁襯底

蘇州納維將立足于材料生長技術和設備的持續(xù)創(chuàng)新，努力在新一代顯示、節(jié)能照明、微波通訊、電力電子、醫(yī)學成像等產(chǎn)業(yè)領域為下游客戶帶來核心價值。