外圍精簡(jiǎn):無(wú)需續(xù)流二極管,僅有6顆元器件,便于小型化設(shè)計(jì)
寬工作頻率:120kHz~1.25MHz
低待機(jī)功耗:可通過(guò)EN外部使能信號(hào)關(guān)閉系統(tǒng)
寬輸入電壓:3V~18V
強(qiáng)帶載能力:>100mA
高可靠性:VIN耐壓>45V,CP、VOUT、CN耐壓>20V,EN、RT耐壓>10V
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AP2130DF-A1 | DFNWB2×2-8L |
AP2130SE-A1 | SOP8 |
AP2130產(chǎn)生負(fù)壓的工作原理如下:
前半個(gè)周期:Q1與Q3導(dǎo)通,Q2與Q4關(guān)斷,電源給CFLY電容充電。(如下圖所示)
后半個(gè)周期:Q1與Q3關(guān)斷,Q2與Q4導(dǎo)通,將CFLY電容上存儲(chǔ)能量傳輸至輸出電容,同時(shí)給負(fù)載供電。(如下圖所示)
1
輸出電壓
測(cè)試條件:環(huán)境溫度25°C,測(cè)試不同開關(guān)頻率和不同負(fù)載時(shí)的輸出電壓。
測(cè)試結(jié)果:相同條件下,輸出電壓隨負(fù)載的增加而增加,隨開關(guān)頻率的增加而減小。
2
工作頻率
測(cè)試條件:環(huán)境溫度25°C,更換不同RF電阻,測(cè)試系統(tǒng)開關(guān)頻率。
測(cè)試結(jié)果:相同條件下,工作頻率隨RF的增加而減小,工作頻率范圍120kHz~1.25MHz。
3
靜態(tài)電流
測(cè)試條件:環(huán)境溫度25°C,空載條件下,測(cè)試不同開關(guān)頻率和不同輸入電壓時(shí)的靜態(tài)電流。
測(cè)試結(jié)果:相同條件下,靜態(tài)電流隨開關(guān)頻率的增加而增加,隨輸入電壓的增加而增加。
4
效率
測(cè)試條件:環(huán)境溫度25°C,測(cè)試不同開關(guān)頻率、不同輸入電壓和不同負(fù)載時(shí)的效率。
測(cè)試結(jié)果:相同條件下,效率隨開關(guān)頻率增加而減小。
5
輸出電壓紋波
測(cè)試條件:環(huán)境溫度25°C,測(cè)試不同開關(guān)頻率下滿載時(shí)的輸出紋波。
測(cè)試結(jié)果:相同條件下,輸出紋波隨開關(guān)頻率增加而減小。
6
滿足工業(yè)級(jí)ESDA/JEDEC可靠性標(biāo)準(zhǔn)
通過(guò)工業(yè)級(jí)ESDA/JEDEC可靠性標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試,包括HTOL、ESD、Latch-up、AC等9個(gè)測(cè)試項(xiàng)目。
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輸出電壓
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原文標(biāo)題:【新品】工業(yè)級(jí)兆赫茲負(fù)壓DC-DC轉(zhuǎn)換芯片
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