納芯微發布首款1200V SiC MOSFET
納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現了出色的導電性能。這款產品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，滿足車規與工規不同等級的需求。
納芯微的碳化硅MOSFET系列在性能上表現卓越，不僅具有穩定的RDSon溫度特性，而且在門極驅動電壓上擁有更寬的覆蓋度，確保了高可靠性。這一特性使得NPC060N120A系列特別適用于電動汽車的OBC/DCDC、熱管理系統，以及光伏、儲能系統（ESS）和不間斷電源（UPS）等關鍵領域。納芯微的此次推出，無疑將進一步推動這些領域的技術進步與性能提升。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
147文章
7240瀏覽量
214266 -
SiC
+關注
關注
29文章
2887瀏覽量
62940 -
納芯微
+關注
關注
2文章
269瀏覽量
14623
發布評論請先 登錄
相關推薦
三菱電機1200V級SiC MOSFET技術解析
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級
瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）
東芝推出全新1200V SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“
瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規級可靠性測試認證
近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品（IV3Q1
Nexperia發布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業界領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
昕感科技發布一款1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0
近日，昕感科技發布一款兼容15V柵壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M12
納芯微發布首款車規級1200V SiC MOSFET
為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產品，在碳化硅芯片生產過程中施行嚴格的質量控制，所有碳化硅產品做到 100% 靜態電參數測試，100%抗雪崩能力測試。
發表于 04-18 11:00
?542次閱讀
瞻芯電子推出一款車規級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z
近日，瞻芯電子正式推出一款車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產品及其采用的1200V 80
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET
安森美發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S
安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。
Qorvo發布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊
全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩
工商網監
評論