電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的
發(fā)表于 05-23 01:04
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于 2020 年末對外公布,第一階段完成于 2021 年 12 月 30 日,SK 海力士當(dāng)時支付了約合 66.1 億美元的 78422 億韓元,從英特爾接管 SSD 業(yè)務(wù)及其位于中國大連 N
發(fā)表于 03-28 19:27
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據(jù)外媒最新報道,為了應(yīng)對NAND閃存市場的供應(yīng)過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導(dǎo)體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露,自去年年底以來,三星電子和
發(fā)表于 02-12 10:38
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產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計(jì)劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計(jì)劃將上半年
發(fā)表于 01-20 14:43
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在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著
發(fā)表于 11-13 14:35
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近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了
發(fā)表于 11-05 15:01
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SK海力士宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著
發(fā)表于 08-29 16:39
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在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實(shí)力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領(lǐng)存儲技術(shù)的前沿。此次展示不僅彰顯了SK
發(fā)表于 08-10 16:52
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全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商SK 海力士近日宣布了一項(xiàng)重大突破,正式推出了全球性能巔峰的新一代顯存產(chǎn)品——GDDR7。這款專為圖形處理優(yōu)化設(shè)計(jì)的顯
發(fā)表于 08-07 11:20
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韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報道,該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND
發(fā)表于 08-02 16:56
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近日,韓國權(quán)威媒體ETNews爆出猛料,SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進(jìn)程,并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時間表——計(jì)劃在20
發(fā)表于 08-01 15:26
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據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項(xiàng)重要財(cái)務(wù)戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國進(jìn)行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為
發(fā)表于 07-30 17:35
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據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)日報和科技媒體Blocks&Files的最新報道,全球半導(dǎo)體巨頭SK海力士正考慮將其NAND閃存與固態(tài)硬盤子公司Solidigm在美國進(jìn)行首次公開募股(IPO)。這
發(fā)表于 07-29 15:40
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在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK
發(fā)表于 07-18 09:47
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(SSD)——PCB01。這款產(chǎn)品的推出,不僅標(biāo)志著SK海力士在NAND閃存解決方案領(lǐng)域的又
發(fā)表于 07-01 14:58
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